[发明专利]低反射金属结构、显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种制作低反射金属结构的方法，其特征在于，包括：

提供一第一基板；

于该第一基板上形成一金属层；

于该金属层上及/或下形成一低反射层，该低反射层包括一金属氧化物层或一金属氮 氧化物层；以及

对该低反射层与该金属层进行一图案化工艺，以形成一图案化低反射层以及一图案化 金属层。

2.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，于该金属层上及/ 或下形成该低反射层的步骤包括进行一反应性溅镀工艺步骤。

3.根据权利要求2所述的制作低反射金属结构的方法，另包括：

于该金属层上及/或下形成该低反射层时，同时于该第一基板与该图案化低反射层之 间，或该金属层与该低反射层之间形成一接口层；以及

利用该图案化工艺一并对该接口层进行图案化。

4.根据权利要求3所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该接口层的材料包 括金属氧化物或金属氮氧化物。

5.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，于该金属层上形成 该低反射层时，该图案化低反射层仅覆盖该图案化金属层的顶表面而未覆盖该图案化金属 层的侧表面。

6.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化低反射层 的厚度介于之间。

7.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化金属层具 有一迭合结构，包括一底金属层以及一顶金属层位于该底金属层上。

8.根据权利要求7所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该底金属层的厚度 介于之间，且该顶金属层的厚度介于之 间。

9.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化低反射层 的反射率介于2％至20％之间。

10.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氧化物层 中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间。

11.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氧化物层 包括一钼氧化物层或一钼钽氧化物层。

12.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氮氧化物 层中氧的含量原子百分比介于5％至50％之间，且该金属氮氧化物层中氮的含量介于1％至 10％之间。

13.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该金属氮氧化物 层包括一钼氮氧化物层或一钼钽氮氧化物层。

14.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该图案化金属层 的侧表面与底表面之间具有一夹角，且该夹角介于10度至80度之间。

15.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，该低反射层为非 晶相。

16.根据权利要求1所述的制作低反射金属结构的方法，其特征在于，另包括在形成该 金属层与该低反射层之前，先于该第一基板上形成一薄膜层，且该薄膜层为硅薄膜、硅氧化 合物薄膜或硅氮化合物薄膜的单层或多层结构。

17.一种制作显示面板的方法，其特征在于，包括：

进行权利要求1所述的该制作低反射金属结构的方法；

于该第一基板上形成多个像素结构；

于该第一基板上形成一第二基板；以及

于该第一基板与该第二基板之间形成一显示介质层。

18.根据权利要求17所述的制作显示面板的方法，其特征在于，该图案化金属层包括一 栅极线、一栅极、一共通线、一数据线、一源极或一漏极的其中至少一者。