[发明专利]一种高强度双层减反膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种减反膜，具体涉及一种高强度双层减反膜的制备方法，属于太阳能电池组件技术领域。

背景技术

太阳能电池是一种有效地吸收太阳辐射能，利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，当太阳光照在半导体P-N结(P-N Junction)上，形成新的空穴-电子对(V-E pair)，在P-N结电场的作用下，空穴由N区流向P区，电子由P区流向N区，接通电路后就形成电流。由于是利用各种势垒的光生伏特效应将太阳光能转换成电能的固体半导体器件，故又称太阳能电池或光伏电池，是太阳能电池阵电源系统的重要组件。

太阳能电池主要有晶硅(Si)电池，三五族半导体电池(GaAs,Cds/Cu₂S,Cds/CdTe,Cds/InP,CdTe/Cu₂Te)，无机电池，有机电池等，其中晶硅太阳能电池居市场主流主导地位。晶硅太阳能电池的基本材料为纯度达99.9999％、电阻率在10Ω-cm以上的P型单晶硅，包括正面绒面、正面p-n结、正面减反射膜、正背面电极等部分，在组件封装为正面受光照面加透光盖片(如高透玻璃及EVA)保护，防止电池受外层空间范爱伦带内高能电子和质子的辐射损伤。

太阳能电池组件是由多片太阳能电池所组成，表面需要玻璃挡板作为保护层，然而玻璃挡板对入射太阳光存在10％左右的反射损失，造成太阳能电池转换效率降低，采用溶胶-凝胶法在玻璃表面镀制一层或多层减反射薄膜，可以提高入射光强度5％以上。由于其溶胶制程较复杂及薄膜机械强度的缺陷，大幅限制其应用；而酸性催化制备的SiO₂薄膜虽致密，机械强度优良，溶胶制备工艺简便，性能稳定，但其折射率偏低，不能单层使用。因此，调配适当的膜厚折射率梯度，制备双层SiO₂-TiO₂减反膜为优化设计势在必行。

发明内容

针对上述现有技术存在的问题，本发明提供一种高强度双层减反膜的制备方法，可提高太阳能电池转换效率，降低成本。

为了实现上述目的，本发明采用的一种高强度双层减反膜的制备方法，包括以下步骤：

1)氧化钛溶胶的制备：取钛酸丁脂、乙酰丙酮、乙醇、醋酸和去离子水按照摩尔比为1:1:50:2:3的比例混合，采用离心搅拌机搅拌均匀，置于室温下老化120-168小时后，得氧化钛溶胶，备用；

2)氧化硅溶胶的制备：取正硅酸乙脂、去离子水、盐酸标准溶液、乙醇按照摩尔比为1:2:0.5:40的比例混合，采用离心搅拌机搅拌均匀，在温度为20℃，相对湿度为30％，静置168小时，得氧化硅溶胶，备用；

3)玻璃片的准备：将镀膜用玻璃片依次用去离子水和酒精冲洗干净后，用氮气吹干；

4)镀双层减反膜：在相对湿度＜50％时，采用提拉镀膜法将步骤1)所得氧化钛溶胶镀在步骤3)中清洗后玻璃片的两面，在玻璃片的正反面各形成一层氧化钛薄膜，再将步骤2)所得氧化硅溶胶，通过提拉镀膜法镀在氧化钛薄膜的外侧，在氧化钛薄膜的表面形成一层氧化硅薄膜；

5)烘干、成品：将步骤4)所得镀双层膜的玻璃片，置于烘箱中烘干，即得成品。

作为改进，所述步骤1)和步骤2)中的乙醇均为无水乙醇。

作为改进，所述步骤2)中盐酸标准溶液的pH＝1。

作为改进，所述步骤1)中离心搅拌机的转速为12000-16000rpm，搅拌时间为3-5min。

作为改进，所述步骤2)中离心搅拌机的转速为12000-16000rpm，搅拌时间为3-5min。

作为改进，所述步骤4)中采用提拉镀膜法时的提拉速度为6-12inch/min。

作为改进，所述步骤4)中玻璃片表面的氧化钛薄膜的厚度为110-130nm。

作为改进，所述步骤4)中氧化硅薄膜的厚度为90-110nm。

作为改进，所述步骤4)中氧化钛薄膜折射率为1.94-1.96；

所述氧化硅薄膜折射率为1.41-1.43。

作为改进，所述步骤5)中，烘箱内温度为200-250℃，烘烤时间为50-70min。