[发明专利]高压ESD保护电路有效
| 申请号： | 201610341917.7 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107403796B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王俊;卢斌;刘森;郭之光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 esd 保护 电路 | ||
1. 一种高压ESD保护电路, 其特征在于，包括设置在高压电源线和地线之间并依次耦接的偏置电路、ESD触发电路以及ESD泄放电路，且所述偏置电路上设置有多个分压节点；所述ESD触发电路主要由至少一个电阻和多个电容连接的RC延时网络构成，每个电容相应地耦接至所述偏置电路的分压节点；所述ESD泄放电路主要由栅极耦接至所述RC延时网络的LDMOS管构成。
2. 如权利要求1所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述偏置电路由串联在所述高压电源线和地线之间的多个分压电阻构成。
3. 如权利要求2所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述RC延时网络由依次串联在所述高压电源线和地线之间的一个触发电阻和多个电容构成。
4. 如权利要求3所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述RC延时网络中串联的电容数量与所述偏置电路中的分压电阻数量相同。
5. 如权利要求4所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述电容数量和分压电阻的数量均为4个。
6. 如权利要求3所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述RC延时网络中与所述触发电阻直接串联的电容的一端耦接至所述LDMOS管的栅极，另一端耦接至所述偏置电路中所述高压电源线端的第一个分压节点。
7. 如权利要求3所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述RC延时网络中电容的选取取决于其耦接的所述偏置电路分压节点的电压值。
8. 如权利要求4或7所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述偏置电路中的分压电阻的阻值均相同时，所述RC延时网络中电容的电容值均相同。
9. 如权利要求1所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述RC延时网络中的电容均为MIM电容。
10. 如权利要求1所述的高压ESD保护电路, 其特征在于，所述LDMOS管为P型MOS管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
