[发明专利]改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法

权利要求书

1.一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法，其特征在于， 包括步骤：

S1：加热电池片，使温度达到第一温度，保持恒温第一预设时间；

S2：对保持恒温的电池片以预设电流通电，通电持续第二预设时 间；

S3：对处于通电状态的电池片进行降温处理，使温度降至第二温 度以下。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一温度的范 围为140℃-300℃，包括端点值；所述第一预设时间的范围为0.5小时 -1小时，包括端点值。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在真空加热炉中加 热电池片，使温度达到第一温度，保持恒温第一预设时间。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设电流的大 小为10A-20A，包括端点值。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二预设时间 的范围为1小时-2小时，包括端点值。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，采用一对探针分别 压在所述电池片正反面的栅线上，对所述电池片进行通电，使所述电 池片处于正向通电状态。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，与所述探针连接的 通电电源包括稳流直流电源。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在氮气氛围中对处 于通电状态的电池片进行降温处理。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用冷却风对处于 通电状态的电池片进行降温处理，所述冷却风采用氮气。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二温度为80 ±5℃。