[发明专利]改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种改善掺硼晶体 硅太阳电池光致衰减的方法。

背景技术

目前，掺硼晶体硅太阳电池占据光伏市场70％以上的产品。然而， 掺硼晶体硅电池一直以来被光致衰减现象所困扰，光致衰减 (Light-induceddegradation：LID))是指晶体硅太阳能电池经光照后 光电转换效率下降的现象，目前普遍认为，该现象是由于硅晶体中的 硼和氧结合生成硼氧对这一复合中心，极易俘获少子，使得少子寿命 下降，而导致电池转换效率下降。

现有技术中，改善光致衰减现象采用的方法是，在硅片端降低硼 或氧的浓度，以降低硼与氧结合成复合体的概率，达到减小光致衰减 的幅度。具体采取的方法是，在铸造硅片的过程中采用区熔法来降低 硅片中的氧含量，或者是改用掺镓替代掺硼来减少硼含量，然而该方 法会大幅增加电池的生产成本，不利于规模化生产。

发明内容

本发明的目的是提供一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的 方法，能有效地减小光致衰减幅度，并克服了现有改善方法会大幅增 加电池生产成本的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法，包括步骤：

S1：加热电池片，使温度达到第一温度，保持恒温第一预设时间；

S2：对保持恒温的电池片以预设电流通电，通电持续第二预设时 间；

S3：对处于通电状态的电池片进行降温处理，使温度降至第二温 度以下。

可选地，所述第一温度的范围为140℃-300℃，所述第一预设时 间的范围为0.5小时-1小时。

可选地，在真空加热炉中加热电池片，使温度达到第一温度，保 持恒温第一预设时间。

可选地，所述预设电流的大小为10A-20A，

可选地，所述第二预设时间的范围为1小时-2小时。

可选地，采用一对探针分别压在所述电池片正反面的栅线上，对 所述电池片进行通电，使所述电池片处于正向通电状态。

可选地，与所述探针连接的通电电源包括稳流直流电源。

可选地，在氮气氛围中对处于通电状态的电池片进行降温处理。

可选地，采用冷却风对处于通电状态的电池片进行降温处理，所 述冷却风采用氮气。

可选地，所述第二温度为80±5℃。

由上述技术方案可以看出，本发明所提供的改善掺硼晶体硅太阳 电池光致衰减的方法，包括步骤：加热电池片，使温度达到第一温度， 保持恒温第一预设时间；对保持恒温的电池片以预设电流通电，通电 持续第二预设时间；对处于通电状态的电池片进行降温处理，使温度 降至第二温度以下。电池片经加热恒温处理，快速激活了电池片内的 硼原子、氧原子以及电池表面膜内氢原子的活性，使扩散速率增大； 然后对电池片通电，电池片内的硼原子与氧原子结合形成B-O对，并 与表面膜内的氢原子结合成H-B-O对，生成H-B-O对使B-O对失去 活性，而后在保持通电状态下进行降温处理，避免生成的H-B-O对分 解。

经本发明方法处理后，电池片内B-O对复合体的分布减少，从而 能降低光致衰减幅度，有效地改善了掺硼晶体硅太阳电池的光致衰减 现象。与现有方法相比，该方法克服了现有改善方法会大幅增加电池 生产成本的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面 将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而 易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域 普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些 附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰 减的方法的流程图。

具体实施方式

正如背景技术所述，掺硼晶体硅太阳电池一直以来被光致衰减现 象所困扰，使其电池效率较低。为改善光致衰减现象，现有技术中采 取在硅片端降低硼或氧的浓度，但具体的实施方法均会大幅增加电池 的生产成本。