[发明专利]集成电路的基准电压修调电路及系统

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路测试技术领域，尤其涉及一种集成电路的基准电压修调电路及系统。

背景技术

在集成电路中，芯片内部都产生恒定的基准电压，为内部的数字电路、模拟电路提供精确稳定的参考电压值，即电压基准是模拟电路和数字电路中不可或缺的一部分。在生产过程中，通常由于基准电压的失调、温漂、工艺偏差等不确定性因素，芯片的基准电压的精度往往较预设值有偏差。基准电压的失调、温漂等因素往往会导致整体电路功能失败，基准电压的精度直接影响集成电路数据采集的准确性，影响LDO(low dropout regulator，低压差线性稳压器)、DC-DC(Direct Current-Direct Current，直流-直流)转换器的输出电压，对产品的良率、利润率也会造成影响，因此，为使芯片内部的基准电压精度足够，通常都需要通过电压修调电路对基准电压进行修调，电压修调技术是目前修调基准电压的普遍方案。

在集成电路中，现有的电压修调技术包括激光修复(即Laser Reair)、电流熔丝(即Current Fuse)、OTP(One Time Programmable，一次性可编程)修复以及NVM(non-volatile memory，非易失性存储器)修复。其中激光修复仅能在芯片封装前进行，应用范围受限，且制程的良率较差，现已逐渐淘汰；OTP修复和NVM修复两种多用于数字电路，且一般针对特定工艺，实用范围窄；电流熔丝是集成电路中采用较多的一种方案。目前电流熔丝方式的电压修调方案中主要存在的缺点是目前的电压修调方案通常只有一级电压校准，导致修调电压范围过大时调节精度不足，精度足够时修调范围又偏小。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种集成电路的基准电压修调电路，旨在提高集成电路基准电压修调精度。

为了达到上述目的，本发明提供的集成电路的基准电压修调电路包括LDO模块、修调模块和修调控制模块；所述修调模块包括一级校准修调模块和二级校准修调模块；

所述LDO模块的正相输入端接入外部的带隙基准电压，所述带隙基准电压通过所述修调模块后反馈至所述LDO模块的反相输入端，所述LDO模块的输出端输出基准电压；所述修调控制模块用于连接片外的程序控制模块，所述修调控制模块根据程序控制模块提供的校准信号生成n位修调控制信号，其中n≥1，n位修调控制信号组合构成2ⁿ组修调控制信号，并将所述修调控制信号输出至所述修调模块；所述修调模块中，所述一级校准修调模块根据所述修调控制信号进行一级校准，所述二级校准修调模块根据所述修调控制信号基于所述一级校准进行二级校准，将所述基准电压修调至预设的基准参考电压。

优选地，所述LDO模块包括运算放大器和第一稳压电阻和第二稳压电阻；所述运算放大器的正相输入端接入外部的带隙基准电压，所述运算放大器的输出端依次经由所述第一稳压电阻、修调模块、第二稳压电阻接地，所述第二稳压电阻与所述修调模块的公共节点连接至所述运算放大器的反相输入端。

优选地，所述一级校准修调模块包括m个一级校准电阻和(m+1)行n列的一级校准开关管阵列，其中m≥1；

m个所述一级校准电阻串联成一串联电阻串，所述串联电阻串的一端连接所述LDO模块的输出端，所述串联电阻串的另一端连接所述LDO模块的反相输入端；每一行一级校准开关管串联成一组串联开关，每一所述一级校准电阻的两端分别与一组串联开关连接，一级校准开关管阵列的控制端接入所述修调控制模块输出的修调控制信号，每组修调控制信号对应控制一组串联开关短路。

优选地，所述一级校准开关管为一级校准NMOS管；第一列一级校准NMOS管中，第m行一级校准NMOS管的源极和第(m+1)行一级校准NMOS管的源极分别连接第m个一级校准电阻的两端；每一行一级校准NMOS管中，第n列一级校准NMOS管的漏极与第(n+1)列一级校准NMOS管的源极连接；最后一列一级校准NMOS管中，各行一级校准NMOS管的漏极相互连接；所述一级校准NMOS管的栅极与所述修调控制模块连接，每一列所述一级校准NMOS管的栅极对应接入所述修调控制模块输出的一位修调控制信号，以控制所述一级校准NMOS管的通断，且各一级校准NMOS管在其栅极接入的修调控制信号为低电平信号时短路。

优选地，所述二级校准修调模块作为所述一级校准修调模块中与所述LDO模块的反相输入端连接的一级校准电阻；