[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件在审
| 申请号： | 201610346850.6 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107425056A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱 | 申请（专利权）人： | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司32243 | 代理人： | 黄智明 |
| 地址： | 213200 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 | ||
1. 一种绝缘栅双极型晶体管器件，包括背面的金属集电极(12)、P型集电极(11)、N型场终止层(10)和N-漂移区(9)，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开；有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区(1)和多个P+接触区(2)，它们通过介质层(4)的窗口和金属发射极(5)相连；有源原胞内的P型阱区(6)通过P+接触区(2)和发射极电极相连；有源原胞内的P型阱区(6)下面还具有N型增强层(101)；虚拟原胞包含P型深阱(8)，P型深阱(8)不和任何电极相连，其电位悬空；其特征在于，沟槽中填充的多晶硅被沟槽介质层(72)分隔成上多晶硅层(32)和下多晶硅层(31)，上多晶硅层(32)和沟槽上部氧化层(73)相互接触，下多晶硅层(31)和沟槽下部氧化层(71)相互接触；上多晶硅层(32)和栅极电极相连，下多晶硅层(31)和发射极电极相连；上多晶硅层(32)的底部比P型阱区(6)更深。
2. 根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管器件, 其特征在于：沟槽下部氧化层(71)的厚度大于沟槽上部氧化层(73)的厚度。
3. 根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于：所述原胞的结构形状是条形、圆形、方形或者多边形。
4. 根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管器件，其特征在于：所述晶体管的半导体材料是硅、碳化硅或者氮化硅。
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