[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件

说明书

技术领域

本发明属于功率半导体器件技术领域，具体来说涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件(IGBT)。

背景技术

IGBT不但可以耐受高压和提供大电流，而且控制方便，是大功率应用的重要器件。IGBT结构设计多种多样，其中具有虚拟原胞区域(dummy cell)的结构是比较常用的(参见，比如，美国专利8633510，以下称为“专利文件1”)。

专利文件1中描述的典型IGBT结构如图1所示。该结构包括：背面的金属集电极12、P型集电极11、N型场终止层10和N-漂移区9。晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞。有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开。沟槽栅结构由相互接触的多晶硅3和栅氧化层7组成。多晶硅3和栅极电极相连。有源原胞包括N+发射区1和P+接触区2，它们通过介质层4的窗口和金属发射极5相连。有源原胞内的P型阱区6通过P+接触区2和发射极电极相连。多晶硅3的底部比P型阱区6更深。有源原胞内的P型阱区6下面还具有N型增强层101。虚拟原胞包含P型深阱8。P型深阱8不和任何电极相连，其电位悬空。

图1结构的不足之处在于栅极和集电极之间的米勒电容(Cres)比较大，增加了开通能耗。所以，有必要改进这种IGBT结构，降低器件的开通能耗。

发明内容

本发明的目的是减少器件的米勒电容，从而降低器件的开通能耗。为此，本发明在上述传统的IGBT结构的基础上，把沟槽中的多晶硅用介质层分隔成上多晶硅和下多晶硅层，上多晶硅仍然和栅极电极相连，下多晶硅和发射极电极相连，降低了器件米勒电容和开通能耗。

具体来说，本发明采用了以下技术方案：

一种绝缘栅双极型晶体管器件，包括背面的金属集电极12、P型集电极11、N型场终止层10和N-漂移区9，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽分开；有源原胞包括相互交替排列的一个或多个N+发射区1和多个P+接触区2，它们通过介质层4的窗口和金属发射极5相连；有源原胞内的P型阱区6通过P+接触区2和发射极电极相连；有源原胞内的P型阱区6下面还具有N型增强层101；虚拟原胞包含P型深阱8，P型深阱8不和任何电极相连，其电位悬空；其特征在于，沟槽中填充的多晶硅被介质层72分隔成上多晶硅层32和下多晶硅层31，上多晶硅层32和沟槽上部氧化层73相互接触，下多晶硅层31和沟槽下部氧化层71相互接触；上多晶硅层32和栅极电极相连，下多晶硅层31和发射极电极相连；多晶硅3的底部比P型阱区6更深。

优选地，沟槽下部氧化层71的厚度大于沟槽上部氧化层73的厚度。

进一步，所述原胞的结构形状是条形、圆形、方形或者多边形。

优选地，所述晶体管的半导体材料是硅、碳化硅或者氮化硅。

本发明的有益技术效果：本发明在传统的具有虚拟原胞的沟槽栅IGBT结构的基础上，把沟槽中的多晶硅用介质层分隔成上多晶硅和下多晶硅层，上多晶硅仍然和栅极电极相连，下多晶硅和发射极电极相连，降低了器件米勒电容和开通能耗。

附图说明

图1是现有技术中IGBT结构图；

图2是本发明的一种实施方案的结构图；

图3是本发明的一种变型的结构图；

图4是模拟所用的开关电路图；

图5是两种IGBT结构的开通波形。

在图中：1、N+发射区；2、P+接触区；3、多晶硅层；4、介质层；5、金属发射极；6、P型阱区；7、氧化层；8、P型深阱；9、N-漂移区；10、N型终止场层；11、P型集电极；12、金属集电极；31、下多晶硅层；32、上多晶硅层；71、下部氧化层；72、沟槽介质层；73、上部氧化层；101、N型增强层。

具体实施方式

本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N-漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽中填充的多晶硅被沟槽介质层分隔成上多晶硅层和下多晶硅层，上多晶硅层和下多晶硅层分别和沟槽上部氧化层和沟槽下部氧化层相互接触，上多晶硅层和栅极电极相连，下多晶硅层和发射极电极相连；有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连，有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连，沟槽中上多晶硅层的底部比有源原胞的P型阱区更深；有源原胞内的P型阱区下面还具有N型增强层；虚拟原胞包含P型深阱，P型深阱不和任何电极相连，其电位悬空。

本发明的技术方案如下：