[发明专利]拾取与放置装置及其作动方法有效
申请号: | 201610355532.6 | 申请日: | 2016-05-26 |
公开(公告)号: | CN107437523B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 刘同凯;谢朝桦;陈柏锋 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拾取 放置 装置 及其 方法 | ||
1.一种拾取与放置装置,包括:
控制元件;
基板;以及
拾取结构,包括多个拾取头,分别用于拾取或放置多个发光二极管,其特征在于,所述基板具有彼此相对的上表面与下表面以及多个导电穿孔,其中所述多个导电穿孔贯穿所述基板且电性连接至所述控制元件,且所述拾取结构配置于所述基板的所述下表面上或由所述基板内延伸配置于所述基板外,且所述拾取结构电性连接至所述多个导电穿孔;
其中,每一所述多个拾取头,包括:
本体,包括第一本体部与第二本体部,其中所述第一本体部与所述第二本体部之间具有通道;以及
拾取部,配置于所述本体的所述第一本体部与所述第二本体部上,且暴露出所述通道。
2.根据权利要求1所述的拾取与放置装置,其特征在于,所述基板为硅基板,而所述多个导电穿孔为多个硅穿孔。
3.根据权利要求1所述的拾取与放置装置,其特征在于,所述拾取部的直径由邻近所述本体往远离所述本体递减。
4.根据权利要求1所述的拾取与放置装置,其特征在于,所述拾取结构,还包括:
载体,包括多个腔室以及多个导电件,其中所述通道连通至对应的所述腔室;以及
多个控制器,配置于所述载体内,且分别通过所述多个导电件与所述基板的所述多个导电穿孔电性连接。
5.根据权利要求1所述的拾取与放置装置,其特征在于,所述拾取部的高度介于1微米至50微米之间。
6.根据权利要求1所述的拾取与放置装置,其特征在于,所述本体包括多层金属层与至少一接合层,其中所述多层金属层与所述至少一接合层交替堆叠。
7.根据权利要求1所述的拾取与放置装置,其特征在于,所述多个拾取头还包含一缓冲层,设置于所述拾取头的表面上。
8.一种拾取与放置装置,包括:
控制元件;
基板;以及
拾取结构,包括多个拾取头,分别用于拾取或放置多个发光二极管,其特征在于,所述基板具有彼此相对的上表面与下表面以及多个导电穿孔,其中所述多个导电穿孔电性连接至所述控制元件,且所述拾取结构配置于所述基板的所述下表面上或由所述基板内延伸配置于所述基板外,且所述拾取结构电性连接至所述多个导电穿孔,所述多个导电穿孔包括多个第一导电穿孔、多个第二导电穿孔、多个第三导电穿孔以及多个第四导电穿孔,所述拾取结构还包括:
多个电磁元件,配置于所述基板内且分别电性连接至所述多个第二导电穿孔与所述多个第三导电穿孔;
多个第一导电通道,由所述基板的所述下表面往所述上表面延伸,且分别连接至所述多个第一导电穿孔;以及
多个第二导电通道,由所述基板的所述下表面往所述上表面延伸,且分别连接至所述多个第四导电穿孔,
其中所述多个拾取头分别对应所述多个电磁元件配置,且由所述基板内延伸配置于所述基板外,其中所述多个电磁元件的至少其中之一与对应的所述多个拾取头的至少其中之一之间具有间隔距离,而所述多个拾取头的至少其中之一电性连接至所述多个第一导电通道的其中之一与所述多个第二导电通道的其中之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造