[发明专利]拾取与放置装置及其作动方法

说明书

本发明提供一种拾取与放置装置及其作动方法。拾取与放置装置包括控制元件、基板以及拾取结构。基板具有彼此相对的上表面与下表面以及多个导电穿孔，其中导电穿孔电性连接至控制元件。拾取结构包括多个拾取头，分别用于拾取或放置多个发光二极管。拾取结构配置于基板的下表面上或由基板内延伸配置于基板外，而基板配置于控制元件与拾取结构之间，且拾取头电性连接至导电穿孔。本发明技术方案，可选择性地拾取与放置所选择的发光二极管，以使所选择的发光二极管具有相同或相近的光学性能。

技术领域

本发明涉及一种拾取与放置装置及其作动方法，且特别是一种应用于拾取与放置发光二极管的拾取与放置装置及其作动方法。

背景技术

目前发光二极管的拾取与放置装置，是通过真空吸取的方式将晶圆或承载板上所有的发光二极管全部一起拾取，且同时放置于另一承载板或电路板上。由于制程变异的关系，晶圆或承载板上的每一发光二极管其光学性能，如发光效率、光型等，不一定相同。因此，另一承载板或电路板上的发光二极管无法具有相同或相近的光学性能，因而导致产品的光学显示性能不佳。

发明内容

本发明提供一种拾取与放置装置及其作动方法，可选择性地拾取与放置所选择的发光二极管，以使所选择的发光二极管具有相同或相近的光学性能。

本发明的拾取与放置装置，其包括控制元件、基板以及拾取结构。基板具有彼此相对的上表面与下表面以及多个导电穿孔，其中导电穿孔电性连接至控制元件。拾取结构包括多个拾取头，分别用于拾取或放置多个发光二极管。拾取结构配置于基板的下表面上或由基板内延伸配置于基板外，且拾取结构电性连接至导电穿孔。

在本发明的一实施例中，上述的基板为硅基板，而导电穿孔为多个硅穿孔。

在本发明的一实施例中，上述的导电穿孔贯穿基板。

在本发明的一实施例中，上述的每一拾取头包括：本体，包括第一本体部与第二本体部，其中第一本体部与第二本体部之间具有通道；以及拾取部，配置于本体的第一本体部与第二本体部上，且暴露出通道。

在本发明的一实施例中，上述的拾取部的直径由邻近本体往远离本体递减。

在本发明的一实施例中，上述的拾取结构，还包括：载体，包括多个腔室以及多个导电件，其中通道连通至对应的腔室；以及多个控制器，配置于载体内，且分别通过导电件与基板的导电穿孔电性连接。

在本发明的一实施例中，上述的拾取部的高度介于1微米至50微米之间。

在本发明的一实施例中，上述的本体包括多层金属层与至少一接合层，其中金属层与接合层交替堆叠。

在本发明的一实施例中，上述的拾取头还包含一缓冲层，设置于拾取头的表面上。

在本发明的一实施例中，上述的导电穿孔包括多个第一导电穿孔、多个第二导电穿孔、多个第三导电穿孔以及多个第四导电穿孔。拾取结构还包括：多个电磁元件，配置于基板内且分别电性连接至第二导电穿孔与第三导电穿孔；多个第一导电通道，由基板的下表面往上表面延伸，且分别连接至第一导电穿孔；以及多个第二导电通道，由基板的下表面往上表面延伸，且分别连接至第四导电穿孔，其中拾取头分别对应电磁元件配置，且由基板内延伸配置于基板外，其中电磁元件的至少其中之一与对应的拾取头的至少其中之一之间具有间隔距离，而拾取头的至少其中之一电性连接至第一导电通道的其中之一与第二导电通道的其中之一。

本发明的拾取与放置装置的作动方法，其包括以下步骤。提供拾取与放置装置，包括控制元件、基板以及拾取结构。基板具有彼此相对的上表面与下表面以及多个导电穿孔，其中导电穿孔电性连接至控制元件。拾取结构包括多个拾取头，分别用于拾取或放置多个发光二极管，且拾取头电性连接至导电穿孔。控制元件提供信号，信号通过导电穿孔传递至拾取结构，使得拾取结构的拾取头吸附欲选取的发光二极管，或将已吸取的发光二极管放置于主动式阵列基板上。