[发明专利]一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置在审
申请号: | 201610363729.4 | 申请日: | 2016-05-26 |
公开(公告)号: | CN107437521A | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 隋琳 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01J37/32 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 | 代理人: | 赵娟 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 传送 方法 装置 | ||
1.一种刻蚀机的晶圆传送方法,所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器,其特征在于,所述方法包括:
当晶圆完成工艺腔室的工艺后,将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器;
在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气;
对所述加锁容器充气,直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值;
将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后,将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气的步骤包括:
维持所述加锁容器的压强,在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
4.根据权利要求1或2或3所述的方法,其特征在于,所述预设的停留时间通过以下方法生成:
获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间;所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间;所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器,传送至所述设备前端模组的传输时间;所述第三时间为:对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间;所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间;
获取工艺腔室的数量;
将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值,除以所述工艺腔室的数量,得到停留时间。
5.根据权利要求1或2或3所述的方法,其特征在于,所述预设的停留时间为用户输入的时间。
6.一种刻蚀机的晶圆传送装置,所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器,其特征在于,所述装置包括:
第一传送模块,用于当晶圆完成工艺腔室的工艺后,将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器;
第一抽气模块,用于在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气;
充气模块,用于对所述加锁容器充气,直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值;
第二传送模块,用于将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,还包括:
第二抽气模块,用于在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后,将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述抽气模块进一步包括:
稳压抽气子模块,用于维持所述加锁容器的压强,在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。
9.根据权利要求6或7或8所述的装置,其特征在于,所述预设的停留时间通过以下装置生成:
时间获取模块,用于获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间;所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间;所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器,传送至所述设备前端模组的传输时间;所述第三时间为:对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间;所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间;
腔室数量获取模块,用于获取所述工艺腔室的数量;
停留时间计算模块,用于将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值,除以所述工艺腔室的数量,得到停留时间。
10.根据权利要求6或7或8所述的装置,其特征在于,所述预设的停留时间为用户输入的时间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造