[发明专利]一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种刻蚀机的晶圆传送方法和一种刻蚀机的晶圆传送装置。

背景技术

刻蚀(Etch)是芯片制造中形成图形图案的关键工艺，通常使用含卤素元素(氟、氯、溴)的气体或化合物在射频电压的作用下生产等离子体，由等离子体对晶圆表面进行刻蚀以形成需要的图案。

刻蚀结束后，晶圆表面通常会残留有卤素元素的气体或化合物，这些残留的卤素元素的气体或化合物会跟大气中的水汽发生冷凝反应，形成冷凝颗粒(Condensation particle)。

冷凝颗粒一般呈水滴状，不规则的分布在晶圆表面，不仅会腐蚀刻蚀设备的零部件，缩短刻蚀设备零部件的使用寿命，还会使得后续生产工艺失效、污染后续工艺的工艺设备，因此，在实际生产中需要消除冷凝颗粒的不利影响。

现有技术中，通常通过以下两种方式消除冷凝颗粒的不利影响：

一种方式是利用冷凝颗粒溶于水的特性，在刻蚀结束后采用湿法清洗除去绝大部分的冷凝颗粒，进而达到消除冷凝颗粒对后续工艺及后续工艺设备的不利影响，然而，由于该做法是在刻蚀结束后才得以清除冷凝颗粒，因而无法避免冷凝颗粒对刻蚀设备大气部分零部件的腐蚀。

另一种方式是在刻蚀设备上安装高温去光阻腔室，在刻蚀设备对晶圆刻蚀完成后，在真空下对晶圆持续进行高温等离子体处理，使大部分卤素元素的气体或化合物发生反应或高温挥发并被泵抽出，从而减少冷凝颗粒的生产，然而，由于晶圆刻蚀完成后仍需进行一段时间的高温等离子体处理，增加了生产所需时间，导致生产效率低下的问题。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种刻蚀机的晶圆传送方法和一种刻蚀机的晶圆传送装置。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种刻蚀机的晶圆传送方法，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：

当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；

在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；

对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；

将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。

优选的，还包括：

在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。

优选的，所述在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气的步骤包括：

维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。

优选的，所述预设的停留时间通过以下方法生成：

获取第一时间、第二时间、第三时间以及第四时间；所述第一时间为单个所述工艺腔室的工艺时间；所述第二时间为所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔和所述加锁容器，传送至所述设备前端模组的传输时间；所述第三时间为：对所述加锁容器抽气至所述最小大气压强值的时间；所述第四时间为打开所述加锁容器与所述真空传送腔之间的真空端门所需的时间；

获取工艺腔室的数量；

将所述第一时间减去所述第二时间、第三时间以及第四时间得到的值， 除以所述工艺腔室的数量，得到停留时间。

优选的，所述预设的停留时间为用户输入的时间。

同时，本发明还公开了一种刻蚀机的晶圆传送装置，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述装置包括：

第一传送模块，用于当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；

第一抽气模块，用于在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；

充气模块，用于对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；

第二传送模块，用于将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。

优选的，还包括：

第二抽气模块，用于在将晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组后，将所述加锁容器抽气至预设的最小大气压强值。

优选的，所述抽气模块进一步包括：

稳压抽气子模块，用于维持所述加锁容器的压强，在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气。

优选的，所述预设的停留时间通过以下装置生成：