[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底自下至上依次包括第一深度区域、第二深度区域和第三深度区域；

对所述第二深度区域基底进行缓冲离子掺杂工艺，形成缓冲掺杂离子区；

去除所述第二深度区域和第三深度区域的部分基底，露出所述第一深度区域的基底，形成衬底以及凸出于所述衬底上的鳍部；

在所述鳍部之间的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构的厚度与所述第二深度区域的深度相等，露出于所述隔离结构的鳍部作为鳍部第一区域，未露出的鳍部作为鳍部第二区域；

对所述鳍部第二区域进行防穿通离子掺杂工艺，形成位于所述缓冲掺杂离子区上的防穿通掺杂离子区，其中，所述防穿通掺杂离子区的离子类型与所述缓冲掺杂离子区的离子类型相同，且所述防穿通掺杂离子区的离子浓度大于所述缓冲掺杂离子区的离子浓度；

形成横跨所述鳍部表面的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部第一区域的部分顶部和侧壁；

在所述栅极结构两侧的鳍部第一区域内形成源漏掺杂区，所述源漏掺杂区的离子类型与所述防穿通掺杂离子区的离子类型相反，且所述源漏掺杂区的离子浓度大于所述防穿通掺杂离子区的离子浓度，使所述源漏掺杂区、防穿通掺杂离子区、缓冲掺杂离子区至所述衬底的离子浓度呈递减趋势。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述半导体结构为P型结构，所述源漏掺杂区的离子类型为P型离子，所述防穿通掺杂离子区的离子类型为N型离子，所述缓冲掺杂离子区的离子类型为N型离子；

或者，所述半导体结构为N型结构，所述源漏掺杂区的离子类型为N型离子，所述防穿通掺杂离子区的离子类型为P型离子，所述缓冲掺杂离子区的离子类型为P型离子。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述防穿通掺杂离子区的离子类型为N型离子，所述缓冲掺杂离子区的离子类型为N型离子，所述N型离子包括磷离子、砷离子或锑离子；

或者，所述防穿通掺杂离子区的离子类型为P型离子，所述缓冲掺杂离子区的离子类型为P型离子，所述P型离子包括硼离子或铟离子。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述防穿通离子掺杂工艺注入的离子剂量大于所述缓冲离子掺杂工艺注入的离子剂量；

所述防穿通离子掺杂工艺注入的离子能量小于所述缓冲离子掺杂工艺注入的离子能量。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述缓冲掺杂离子区的离子类型为N型离子，所述缓冲离子掺杂工艺的参数包括：注入的离子能量为30ev至120Kev，注入的离子剂量为1E12原子每平方厘米至2E14原子每平方厘米，注入角度为0度至15度；

或者，所述缓冲掺杂离子区的离子类型为P型离子，所述缓冲离子掺杂工艺的参数包括：注入的离子能量为10Kev至50Kev，注入的离子剂量为1E12原子每平方厘米至2E14原子每平方厘米，注入角度为0度至15度。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述防穿通掺杂离子区的离子类型为N型离子，所述防穿通离子掺杂工艺的参数包括：

注入的离子能量为20Kev至80Kev，注入的离子剂量为5E12原子每平方厘米至8E13原子每平方厘米，注入角度为0度至15度；

或者，所述防穿通掺杂离子区的离子类型为P型离子，所述防穿通离子掺杂工艺的参数包括：注入的离子能量为5Kev至20Kev，注入的离子剂量为5E12原子每平方厘米至1E14原子每平方厘米，注入角度为0度至15度。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用横向扩散的离子掺杂方式，形成所述防穿通掺杂离子区。