[发明专利]光学膜的制作方法、光学器件、显示基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201610365849.8 申请日: 2016-05-27
公开(公告)号: CN105870361B 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 杨久霞;徐文艳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司11243 代理人: 许静,黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 光学 制作方法 器件 显示 显示装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种光学膜的制作方法、光学器件、显示基板及显示装置。

背景技术

发光二极管(Organic Light-Emitting Device)显示器件具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点,已广泛应用于显示设备中。

OLED显示器件按照出光方向可以分为三种:底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。在底发射OLED中光从背板方向射出,在顶发射OLED中光从器件顶部方向射出,在双面发射OLED中光同时从基板和器件顶部射出。

但是,受制作工艺的影响,会导致膜层与膜层之间、膜层与基板之间存在微腔结构,使得OLED显示器件的光效损失较大。

发明内容

本发明提供一种光学膜的制作方法、光学器件、显示基板及显示装置,用以提高光线输出效率。

为解决上述技术问题,本发明实施例中提供一种光学膜的制作方法,所述光学膜用于对发光器件发出的光学进行折射,所述制作方法包括:

在所述光学膜的表面形成不平整结构。

如上所述的制作方法,优选的是,所述光学膜为单层结构,制备所述光学膜的材料的折射率不小于1.5。

如上所述的制作方法,优选的是,所述制作方法还包括:

提供一模具,所述模具的一个表面上具有与所述不平整结构的图形匹配的第一图形;

利用所述模具在所述光学膜的表面形成不平整区域。

如上所述的制作方法,优选的是,所述光学膜由可固化的材料制得,形成所述光学膜的步骤具体包括:

步骤a、形成制作所述光学膜的第一薄膜;

步骤b、对所述第一薄膜进行固化,在一定的气压环境下,将所述模具具有第一图形的表面压在所述第一薄膜的表面上一段时间;

步骤c、重复步骤b N次,其中,N为不小于2的正整数;

步骤d、对所述第一薄膜进行后烘工艺,形成所述光学膜。

如上所述的制作方法,优选的是,所述光学膜由热固化材料制得;

首先在10℃-110℃的温度条件下,对所述第一薄膜进行固化2min-10min,并在2个大气压的环境下,将所述模具具有第一图形的表面压在所述第一薄膜的表面上0.5min-3min;然后,在30℃-140℃的温度条件下,对所述第一薄膜进行固化1min-5min,并在1个大气压的环境下,将所述模具具有第一图形的表面按压在所述第一薄膜的表面上50s-5min。

如上所述的制作方法,优选的是,所述光学膜由光固化材料制得;

首先在35℃-135℃的温度条件下,对所述第一薄膜进行固化50s-5min,并在1.8个大气压的环境下,将所述模具具有第一图形的表面压在所述第一薄膜的表面上15s-150s;然后,在35℃-135℃的温度条件下,对所述第一薄膜进行固化2min-10min,并在1个大气压的环境下,将所述模具具有第一图形的表面压在所述第一薄膜的表面上10min-20min。

如上所述的制作方法,优选的是,在70℃-190℃的温度条件下,对所述第一薄膜进行90s-8min的后烘工艺。

如上所述的制作方法,优选的是,形成制作所述光学膜的第一薄膜的步骤包括:

提供制作所述光学膜的第一材料;

向所述第一材料中添加调节材料,形成混合材料;

利用所述混合材料形成所述第一薄膜,所述调节材料用于使所述第一材料分布均匀,形成厚度均一的第一薄膜。

如上所述的制作方法,优选的是,所述模具由硅橡胶、环氧树脂、聚氨酯、聚酰亚胺或酚醛树脂制得。

如上所述的制作方法,优选的是,所述光学膜由树脂材料制得。

本发明实施例中还提供一种光学器件,包括发光器件,还包括由如上所述的制作方法制得的光学膜,所述光学膜用于对所述光学器件发出的光线进行折射。

如上所述的光学器件,优选的是,所述发光器件为有机发光二极管,所述发光器件包括发光层,所述光学膜相对所述发光层更靠近所述有机发光二极管的出光侧,所述光学膜对所述发光层发出的光线进行折射。

如上所述的光学器件,优选的是,所述发光器件为顶发射有机发光二极管;

所述发光器件还包括顶电极,所述光学膜位于所述顶电极的与所述发光层相对的一侧。

如上所述的光学器件,优选的是,所述发光器件为底发射有机发光二极管;

所述发光器件还包括底电极,所述光学膜位于所述底电极的与所述发光层相对的一侧。

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