[发明专利]从晶片揭除粘膜的方法及装置

权利要求书

1.一种从晶片揭除粘膜的方法，包括下列步骤：

将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台，所述晶片支撑台包括一个底座和一个容纳晶片的倾斜支撑面；

使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起；和

用一个压片手柄将晶片按压在晶片支撑台上，同时，用镊子将所述粘膜从所述晶片揭除；

任选地，在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台”之后，“使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起”之前，对置于晶片支撑台的带有粘膜的晶片作失粘处理。

2.根据权利要求1所述的从晶片揭除粘膜的方法，其特征在于，所述晶片支撑台为可升降的晶片支撑台，包括一个升降设备，其中容纳晶片的倾斜支撑面一端与底座枢轴连接，另一端与该升降设备相连，从而使容纳晶片的倾斜支撑面可以与底座成不同的角度。

3.根据权利要求2所述的从晶片揭除粘膜的方法，其特征在于，在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台”的步骤中，带有粘膜的晶片已经经过失粘处理；此时，不实施下列步骤：“任选地，在‘将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台’之后，‘使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起’之前，对置于晶片支撑台的带有粘膜的晶片作失粘处理”；或者

在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台”的步骤中，带有粘膜的晶片是未经过失粘处理的晶片；此时，在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台”之后，“使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起”之前，对置于晶片支撑台的带有粘膜的晶片作失粘处理。

4.根据权利要求1-3之一所述的从晶片揭除粘膜的方法，其特征在于，晶片处于晶片盒内，直接将带有晶片的晶片盒置于晶片支撑台上。

5.根据权利要求1-3之一所述的从晶片揭除粘膜的方法，其特征在于，在“将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台”步骤中，晶片与水平方向成5-45度角。

6.根据权利要求1或2所述的从晶片揭除粘膜的方法，其特征在于在用压片手柄将晶片按压在晶片支撑台上时，测量和显示压力手柄对晶片施加的压力。

7.一种从晶片揭除粘膜的装置，包括：

一个晶片支撑台，用于支撑其上有粘膜的晶片，包括一个底座和一个容纳晶片的倾斜支撑面；

一个刀片，用于将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起；

一个压片手柄，用于将晶片按压在晶片支撑台上；以及

一个镊子，用于将粘膜从晶片揭除；

任选地，一个处理设备，用于对置于晶片支撑台的带有粘膜的晶片作失粘处理。

8.根据权利要求7所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，所述晶片支撑台还包括一个升降设备，其中容纳晶片的倾斜支撑面一端与底座枢轴连接，另一端与该升降设备相连，从而使容纳晶片的倾斜支撑面可以与底座成不同的角度。

9.根据权利要求7或8所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，所述处理设备为紫外灯、红外灯或加热设备。

10.根据权利要求8所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，所述晶片支撑台包括的升降设备包括弯曲导轨和导杆结构。

11.根据权利要求7或8所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，所述容纳晶片的倾斜支撑面的外缘处设有一个凹槽，使晶片厚度部分露出。

12.根据权利要求7或8所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，还包括真空吸附设备，用于移动晶片；真空吸附设备优选具有扁平形状的远端(接触晶片表面的一端)。

13.根据权利要求7或8所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，所述压片手柄的远端(接触晶片壁面的一端)优选是扁平形状的，并且其远端的周界以非直角的角度弯曲。

14.根据权利要求13所述的从晶片揭除粘膜的装置，其特征在于，在所述压片手柄的远端的接触晶片的部位处设置有测压装置，且在压片手柄上设置有用于显示所测压力的显示装置。