[发明专利]一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法

权利要求书

1.一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，其特征在于步骤如下：

(1)用丙酮和酒精超声清洗金属基片分别20-60分钟，并用氮气吹干，进行步骤(2)；

(2)配置浓度为0.1-1mg/ml石墨烯的氮甲基吡咯烷酮溶液，即石墨烯溶液，用旋凃的方式在步骤(1)氮气吹干后的金属基片表面涂覆0.05-0.3ml石墨烯溶液，形成表面纳米级厚度的石墨烯薄膜，进行步骤(3)；

(3)在300-500℃下，将步骤(2)涂覆石墨烯溶液的金属基片在氮气保护下退火1小时，去除表面残余有机物；

(4)用能量为1-5KeV的氩离子刻蚀步骤(3)去除表面残余有机物的金属基片上的石墨烯薄膜1分钟，在石墨烯薄膜表面形成石墨烯纳米孔，得到样品，进行步骤(5)；

(5)取出样品并保存。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属基片材质为银或铜、或铝的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：配置浓度为0.1-1mg/ml石墨烯的氮甲基吡咯烷酮溶液的方法为：步骤(2)中用超声解离的方法将0.025-0.25g的高定向热解石墨或者热膨胀石墨分散于20ml氮甲基吡咯烷酮中，配置浓度为0.1-1mg/ml的石墨烯溶液。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(4)中在石墨烯薄膜表面用氩离子刻蚀形成纳米孔，通过结合低二次电子发射系数材料的石墨烯和石墨烯纳米孔对入射电子的散射和吸收，减小二次电子发射系数。