[发明专利]静电放电ESD保护器件和半导体装置

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护器件，其特征在于，包括：

衬底结构，所述衬底结构包括半导体衬底以及在所述半导体衬底上且与衬底邻接的至少两个半导体鳍片，所述至少两个半导体鳍片包括分离的第一鳍片和第二鳍片，其中

所述衬底结构包括横向相邻接的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的导电类型，

所述第一掺杂区包括衬底的第一部分以及其上的第一鳍片的第一区域，

所述第二掺杂区包括衬底的第二部分以及其上的第一鳍片的第二区域和其上的第二鳍片，所述第二区域和所述第一区域邻接；

第一栅极结构，在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的至少一部分上，包括：

在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的至少一部分上的界面层，

在所述第一鳍片上与所述界面层邻接的用于栅极的间隔物，

在所述界面层和间隔物的内侧壁上的高K电介质层，

在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分上的高K电介质层上的第一功函数调节层，所述第一功函数调节层不在所述第一鳍片的第二区域上；

在所述第一功函数调节层和所述第一鳍片的第二区域的表面的至少一部分上的高K电介质层上的第二功函数调节层，以及

在所述第二功函数调节层上的栅极；

第一高掺杂区，位于所述第一区域中，其导电类型与所述第一掺杂区的相同，掺杂浓度高于所述第一掺杂区；以及

第二高掺杂区，位于所述第二鳍片中，其导电类型与所述第二掺杂区的相同，掺杂浓度高于所述第二掺杂区。

2.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，

所述第一功函数调节层至少包括下列之一：Ti_xN_y、TaN、TaC；

所述第二功函数调节层至少包括下列之一：TiAl、TiCAl、TiNAl、TiSiAl。

3.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，

所述第一高掺杂区电连接至所述第一栅极结构中的栅极，所述第二高掺杂区电连接至接收外部信号的信号输入端。

4.根据权利要求3所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，

所述第一掺杂区为P型，所述第二掺杂区为N型；

所述第一高掺杂区和所述第一栅极结构中的栅极接地。

5.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，

所述第一栅极结构在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面的一部分上。

6.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，

所述第一栅极结构在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分和所述第一鳍片的第二区域的表面上。

7.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，还包括：

浅沟槽隔离STI区，位于所述至少两个半导体鳍片中的各鳍片之间的第二掺杂区上。

8.根据权利要求7所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，

所述第一栅极结构在所述第一鳍片的第一区域的表面的一部分、所述第一鳍片的第二区域的表面和所述第二区域的侧面上。

9.根据权利要求1所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，还包括：

在所述第一鳍片未被所述第一栅极结构覆盖的第一区域的端部上的伪栅结构，用于限定用于形成所述第一高掺杂区的开口。

10.根据权利要求9所述的静电放电ESD保护器件，其特征在于，所述伪栅结构包括：

在所述第一鳍片未被所述第一栅极结构覆盖的第一区域的端部上的界面层；

在所述第一鳍片上与所述界面层邻接的用于伪栅的间隔物；

在所述界面层上和间隔物的内侧壁上的高K电介质层；和

在所述高K电介质层上的伪栅。