[发明专利]有机发光二极管制备方法和制备装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管的制备方法，包括：

S1，提供一基底，在该基底表面形成第一电极；

S2，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构、有机发光层源材料及支撑体，该碳纳米管结构通过该支撑体悬空设置，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机发光层源材料设置在该悬空的碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机发光层源材料为该有机发光层的材料或者用于形成该有机发光层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机发光层；

S3，将该蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号，使该有机发光层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成有机发光层；以及

S4，在该有机发光层上形成第二电极。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，该有机发光层源材料通过溶液法、沉积法、蒸镀法、电镀法或化学镀法等方法承载在该碳纳米管膜结构表面。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，在该碳纳米管膜结构表面承载该有机发光层源材料包括以下步骤：

S21，将该有机发光层源材料溶于或均匀分散于一溶剂中，形成一溶液或分散液；

S22，将该溶液或分散液均匀附着于该碳纳米管膜结构表面；以及

S23，将附着在该碳纳米管膜结构表面的溶液或分散液中的溶剂蒸干，从而将该有机发光层源材料均匀的附着在该碳纳米管膜结构表面。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，该步骤S3进一步包括将该蒸发源及有机发光层源材料设置在真空室中，在真空中向该碳纳米管膜结构输入所述电磁波信号的步骤。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，进一步包括提供一电磁波信号输入装置，使该电磁波信号输入装置向该碳纳米管膜结构发出电磁波信号的步骤。

6.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，该步骤S3进一步包括提供一图案化栅网，将该图案化栅网设置在该蒸发源与该基底具有第一电极的表面之间，从而形成图案化有机发光层的步骤。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，该图案化栅网包括通孔阵列，该图案化有机发光层为有机发光层阵列。

8.如权利要求6所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，该步骤S2包括提供多个用于制备不同颜色有机发光层的蒸发源，该步骤S3包括提供分别与该多个蒸发源对应的多个图案化栅网，以及通过多次蒸镀在预定位置形成不同颜色的有机发光层阵列。

9.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，在该步骤S3之前，进一步包括提供一空穴传输层蒸发源，该空穴传输层蒸发源包括碳纳米管膜结构及空穴传输层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该空穴传输层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；以及将该空穴传输层蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该空穴传输层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成空穴传输层。

10.如权利要求1所述的有机发光二极管的制备方法，其特征在于，在该步骤S3之前，进一步包括提供一空穴注入层蒸发源，该空穴注入层蒸发源包括碳纳米管膜结构及空穴注入层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该空穴注入层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载；以及将该空穴注入层蒸发源与基底具有第一电极的表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该空穴注入层源材料蒸发，在该第一电极上蒸镀形成空穴注入层。