[发明专利]一种负升压电路、半导体器件及电子装置

权利要求书

1.一种负升压电路，用于生成负偏压，其特征在于，包括：

第一传输电路，所述第一传输电路配置为将基准信号传输至第一升压节点，所述第一传输电路包括第一传输晶体管、第一电压反馈节点、第一开关晶体管和第二开关晶体管，所述第一传输晶体管的源端与所述基准信号连接，所述第一传输晶体管的漏端与所述第一升压节点连接，所述第一传输晶体管的栅端与所述第一电压反馈节点连接，所述第一开关晶体管的源端与工作电源连接，所述第一开关晶体管的漏端与所述第一电压反馈节点连接，所述第一开关晶体管的栅端与第一传输使能信号连接，所述第二开关晶体管的源端与所述第一电压反馈节点连接，所述第二开关晶体管的漏端与所述第一升压节点连接，所述第二开关晶体管的栅端与所述第一传输使能信号连接，所述第一传输使能信号配置为使所述第一开关晶体管关断，第二开关晶体管导通；

第一延时电路，所述第一延时电路配置为基于所述第一传输电路的反馈信号和第一抬升使能信号生成第一电压抬升信号；

第一电压抬升电路，所述第一电压抬升电路配置为基于所述第一电压抬升信号将所述第一升压节点的电压转变为第一阶负偏压，

其中所述第一延时电路配置为使所述第一传输电路的反馈信号和所述第一电压抬升信号之间具有第一预定延时。

2.根据权利要求1所述的负升压电路，其特征在于，所述第一抬升电路包括第一抬升电容，所述第一抬升电容第一端与所述第一升压节点连接，第二端与所述第一电压抬升信号连接，

所述第一延时电路配置为在所述第一传输晶体管关断之后使所述第一电压抬升信号由高电平转变为低电平，以使所述第一升压节点的电压转变为第一阶负偏压。

3.根据权利要求2所述的负升压电路，其特征在于，所述第一延时电路包括第一反相器、第二反相器、或非门和第三反相器，其中所述第一反相器输入端与所述第一电压反馈节点连接，输出端与所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端与所述或非门的第一输入端连接，所述或非门的第二输入端与所述第一抬升使能信号连接，所述或非门的输出端与所述第三反相器的输入端连接，所述第三反相器的输出端输出所述第一电压抬升信号。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的负升压电路，其特征在于，还包括：

第二传输电路，所述第二传输电路配置为将所述第一升压节点的信号传输至第二升压节点；

第二延时电路，所述第二延时电路配置为基于所述第二传输电路的反馈信号和第二抬升使能信号生成第二电压抬升信号；

第二电压抬升电路，所述第二电压抬升电路配置为基于所述第二电压抬升信号将所述第二升压节点的电压由所述第一阶负偏压转变为第二阶负偏压，

其中，所述第二延时电路配置为使所述第二传输电路的反馈信号和所述第二电压抬升信号之间具有第二预定延时。

5.根据权利要求4所述的负升压电路，其特征在于，所述第二传输电路包括第二传输晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管、第二电压反馈节点和第三电压反馈节点，

所述第二传输晶体管的源端与所述第一升压节点连接，所述第二传输晶体管的漏端与第二升压节点连接，所述第二传输晶体管的栅端与所述第二电压反馈节点连接，

所述第三开关晶体管的源端与所述第一升压节点连接，所述第三开关晶体管的漏端与所述第三电压反馈节点连接，所述第三开关晶体管的栅端与第二传输使能信号连接，

所述第四开关晶体管的源端与所述第二电压反馈节点连接，所述第四开关晶体管的漏端与所述第二升压节点连接，所述第四开关晶体管的栅端与所述第三电压反馈节点连接，

所述第二传输使能信号配置为使所述第二传输晶体管关断。

6.根据权利要求5所述的负升压电路，其特征在于，所述第二传输电路还包括第五开关晶体管和第六开关晶体管，

所述第五开关晶体管的源端与工作电源连接，所述第五开关晶体管的漏端与所述第三电压反馈节点连接，所述第五开关晶体管的栅端与所述第二传输使能信号连接，

所述第六开关晶体管的源端与工作电源连接，所述第六开关晶体管的漏端与所述第二电压反馈节点连接，所述第六开关晶体管的栅端与第三传输使能信号连接，

所述第二传输使能信号和所述第三传输使能信号电平相反。