[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明是涉及一种发光二极管，且还涉及一种发光二极管封装结构。

背景技术

现有的发光二极管封装结构包括有一基板、设置于上述基板的一电极层、安装于电极层的一发光二极管芯片及包覆上述发光二极管芯片的一荧光胶体。然而，所述荧光胶体也覆盖在电极层上，使得所述发光二极管芯片与电极层间，容易受到荧光胶体的影响而产生共晶不良的问题。

于是，本发明人认为上述缺陷可改善，潜心研究并配合科学原理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。

发明内容

本发明实施例在于提供一种发光二极管封装结构，用来改善现有发光二极管封装结构可能产生的缺陷。

本发明实施例公开一种发光二极管封装结构，其中，所述发光二极管封装结构包括一基板、一电极层、一绝缘层、至少一发光单元、一反射壳体以及一焊垫层，所述基板具有位于相反两侧的一第一板面和一第二板面；所述电极层设置于所述基板的所述第一板面上；所述绝缘层设置于所述基板的所述第一板面上，所述绝缘层和所述电极层为形状互补，并且所述绝缘层和所述电极层共平面；至少一所述发光单元包括一发光二极管芯片及封装所述发光二极管芯片的一荧光胶体，所述发光二极管芯片安装于所述电极层与所述绝缘层上；其中，所述荧光胶体与所述电极层呈间隔设置，并且所述荧光胶体与所述电极层间形成有3微米至10微米的一缝隙；所述反射壳体设置于所述电极层与所述绝缘层上并充填所述缝隙，所述反射壳体包覆于所述至少一发光单元的侧缘；其中，所述反射壳体与所述至少一发光单元各具有远离所述基板的一顶平面，所述反射壳体的所述顶平面相对于所述基板的距离不大于所述至少一发光单元的所述顶平面相对于 所述基板的距离，并且所述两个顶平面的间距为0至30微米；以及所述焊垫层电性连接所述电极层且位于所述基板的所述第二板面。

优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有一齐纳二极管芯片；其中，所述电极层包含有：一第一电极垫，包含有一第一固晶区块、一第一延伸区块及相连于所述第一固晶区块与所述第一延伸区块的一第一连接区块，并且所述第一固晶区块、所述第一连接区块及所述第一延伸区块共同包围形成有一第一缺口；以及一第二电极垫，包含有一第二固晶区块、一第二延伸区块及相连于所述第二固晶区块与所述第二延伸区块的一第二连接区块，所述第二固晶区块、所述第二延伸区块及所述第二连接区块分别相邻设置于所述第一固晶区块、所述第一延伸区块及所述第一连接区块，并且所述第二固晶区块、所述第二连接区块及所述第二延伸区块共同包围形成有一第二缺口，所述第一缺口与所述第二缺口分别朝向相互远离的方向，所述第一电极垫和所述第二电极垫呈镜像设置；其中，所述发光二极管芯片安装于所述第一固晶区块与所述第二固晶区块，而所述齐纳二极管芯片安装于所述第一延伸区块与所述第二延伸区块。

优选地，所述第一固晶区块与所述第二固晶区块的间距大于所述第一延伸区块与所述第二延伸区块的间距。

优选地，所述荧光胶体包覆于所述发光二极管芯片的顶面与侧面并裸露所述发光二极管芯片的电极，所述发光二极管芯片的顶面平行于所述荧光胶体的顶面，并且所述发光二极管芯片的顶面与所述荧光胶体的顶面间的最小间距为50微米至200微米。

优选地，所述发光二极管封装结构进一步包括有设置于所述电极层上的一齐纳二极管芯片，并且所述齐纳二极管芯片埋置于所述反射壳体内。

优选地，所述基板包含一陶瓷层和至少一突波吸收层，所述至少一突波吸收层位于所述陶瓷层的一侧，所述陶瓷层内埋置两个第一导电柱，所述电极层电性连接于所述两个第一导电柱，所述至少一突波吸收层内埋置有两个第二导电柱及至少两个金属层，所述两个第二导电柱连接所述至少两个金属层，以形成电容效应，所述两个第一导电柱分别电性连接所述两个第二导电柱，所述两个第二导电柱电性连接所述焊垫层。