[发明专利]一种含有铋和卤素的半导体材料及其制备与分析方法有效
| 申请号： | 201610407141.4 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106082329B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 米启兮;汪瑶 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00;G01N31/16 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司31001 | 代理人： | 翁若莹,王婧 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 含有 卤素 半导体材料 及其 制备 分析 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，其化学式为Cs3Bi2BrxI9–x，其中，x = 1–6.85。
2.如权利要求1所述的含有铋和卤素的半导体材料，其特征在于，所述的含有铋和卤素的半导体材料具有类钙钛矿晶体结构，空间群为P−3m1。
3.权利要求1或2所述的含有铋和卤素的半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：将Cs3Bi2Br9和Cs3Bi2I9按照一定比例混合，加热反应得到Cs3Bi2BrxI9–x；或者，将含有Cs、Bi和I元素的反应物与氢溴酸反应，冷却结晶，得到Cs3Bi2BrxI9–x。
4.如权利要求3所述的含有铋和卤素的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的含有Cs、Bi和I元素的反应物为CsBr和BiI3。
5.如权利要求3所述的含有铋和卤素的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的含有Cs、Bi和I元素的反应物为CsI和Bi2O3。
6.如权利要求3所述的含有铋和卤素的半导体材料的制备方法，其特征在于，所述的含有Cs、Bi和I元素的反应物为Cs3Bi2I9。
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