[发明专利]一种基板处理设备

说明书

技术领域

本发明为涉及一种基板处理设备，尤指一种具有低制造成本的基板处理设备。

背景技术

半导体元件是目前许多电器及电子产品不可或缺的元件之一，于制造过程中需经由精密设备及多项制作步骤方可完成。

如美国发明专利公告第US 8,334,461号，提出一种布线板，用于安装一电子组件，且包含多个布线层、一导线形成区域以及一周围区域，该布线层具有设置于其间的一绝缘层，该导线形成区域是由电子元件所欲装设的一区域而对应的部分来定义，该周围区域围绕该导线形成区域。

或如中国台湾专利公告第I407536号，提出一种半导体元件的散热座的制作方法，包含形成一覆盖于一暂时基板的一表面上的导电层；将一半导体晶片通过至少一金属凸块接合于该导电层，其中该金属凸块介于该半导体晶片与该导电层之间；形成一金属基板于该导电层上，其中该金属基板填满该半导体晶片与该导电层之间的一间隙；移除该暂时基板。

又如中国台湾专利公告第I297537号，提出一种半导体元件的嵌入式金属散热座，包括一金属薄层、至少一半导体元件、一金属散热座以及二电极垫，该金属薄层具有相对的一第一表面以及一第二表面，该半导体元件嵌设在该金属薄层的该第一表面中且具有电性相反的二电极，该金属散热座接合于该金属薄层的该第二表面，该二电极垫分别对应于这些电极且设在该半导体元件周围的该金属薄层的该第一表面上并与一外部电路电性连接，其中这些电极通过至少二导线而分别与对应的这些电极垫电性连接。

另如中国台湾专利公告第I405257号，提出一种分离基板与半导体层的方法，包含下列步骤，提供一暂时基板；形成一图案化二氧化硅层位于该暂时基板上；成长一半导体层位于该图案化二氧化硅层上；形成一金属镜面于该半导 体层上；第一次蚀刻该图案化二氧化硅层；第二次蚀刻该暂时基板与该半导体层的界面以移除该暂时基板。

于以上现有技术之中，美国发明专利公告第US 8,334,461号是当欲形成布线板前需先通过湿式蚀刻方式处理而使用大量的湿蚀剂将暂时基材完全去除，然此方法需耗费大量湿蚀剂进而使制作成本提高；另，中国台湾专利公告第I407536号是通过研磨或激光剥除方式移除暂时基板，然而研磨方式需把整片暂时基板研磨殆尽而产生耗费制程时间的问题，而激光剥除方式需通过精密且昂贵又耗电的设备来进行处理，更可能于处理过程中破坏半导体的结构而使制作成本提高；另，中国台湾专利公告第I297537号由于金属薄层和光电元件是藉由胶带而贴设在暂时基板上，因此将胶带移除即可使金属薄层及光电元件与暂时基板分开，然而此分离方式容易使胶带的高分子残留于暂时基板或元件，将造成污染；另，中国台湾专利公告第I405257号也采用湿式蚀刻将暂时基板与半导体层分离，故同样具有类似提高制作成本的问题和缺点。

发明内容

本发明的主要目的，在于解决现有半导体制程中，因需耗费大量化学药剂或需通过精密且昂贵又耗电的设备来将暂时基板完全移除，进而提高制作成本的问题。

为达上述目的，本发明提供一种基板处理设备，是针对一具有一暂时基板以及一形成于该暂时基板一侧的半导体元件的晶圆进行处理，该基板处理设备包含有一第一半部、一第二半部及一液体供应单元，该第一半部包含有一工作平台及一设置于该工作平台的第一孔洞，该第二半部设置于该第一半部上方，包含有一对应于该工作平台以形成一容置该晶圆的容置空间的上盖以及多个设置于该上盖的第二孔洞，该上盖具有一位于该工作平台上方且供该第二孔洞设置的第一表面，该液体供应单元分别与该第一孔洞及该第二孔洞连通并提供一液体至该容置空间，其中，该晶圆置放于该工作平台且该半导体元件的一第二表面和该第一表面相距一足以让该液体流动于该第二表面时和该第一表面接触而对该第二表面产生一吸附力的距离，进而让该暂时基板与该半导体元件之间形成一剥离力而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。

由以上可知，本发明相较于现有技艺可达到的功效在于，利用该液体供应 单元提供的该液体，当该液体于流动状态时，将于该第一表面和该第二表面之间的一狭长空间内形成稳定层流，而定义出一流场，根据伯努利(Bernoulli)效应，该晶圆上下之间将产生一压力差，而使该流场对该第二表面形成一动态向上吸附力；当该液体于静止状态时，处于该狭长空间内的该液体将根据毛细管作用而对该第二表面形成一静态向上吸附力，而使该暂时基板与该半导体元件彼此分离。因此，不需藉由大量化学药剂以浸泡方式处理晶圆，亦不需通过精密且昂贵又耗电的设备处理晶圆，故制造成本可大幅降低。

附图说明