[发明专利]DUT测试板及其使用方法有效
申请号: | 201610411868.X | 申请日: | 2016-06-12 |
公开(公告)号: | CN107490755B | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 辛军启 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 300385 天津市西青*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dut 测试 及其 使用方法 | ||
在本发明提供的DUT测试板及其使用方法中,所述DUT测试板包括电源信号选择单元、DUT信号选择单元和自动切换单元,利用DUT信号选择单元的两个选择端口输出需要的电源信号,进而将Vpp信号连接到所述待测样品DUT的任意一个引脚上,并利用自动切换单元实现所述Vpp信号的自动接通和断开,因此能够同时满足FT测试和VT测试的硬件要求,而且兼顾现有的硬件设置和测试程序,具有结构简单、使用方便、检测成本低的特点。
技术领域
本发明涉及集成电路检测技术领域,特别涉及一种DUT测试板及其使用方法。
背景技术
随着存储技术的发展,出现了各种类型的存储器,如随机存储器(Random AccessMemory,简称RAM)、只读存储器(Read-Only Memory,简称ROM)、动态随机存储器(DynamicRandom Access Memory,简称DRAM)、可擦除可编程只读存储器(Erasable ProgrammableRead Only Memory,简称EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory,简称EEPROM)和闪存(Flash)等。其中,闪存(Flash)是一种非易失存储器,断电后数据也不会丢失,而且可在电脑或者专用设备上擦除已有信息,重新编程,即插即用。
或非门存储芯片(Nor-flash)是现在市场上应用最广的闪存芯片之一,它的出现彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。为了保证Nor-flash的性能和质量,需要对Nor-flash进行各种测试,以剔除掉不合格的产品。其中,功能测试(Functional Test,简称FT)和模拟测试(Virtualization Test,简称VT)均是Nor-flash的常规测试。进行测试时,均先将待测样品(通常是经过简单封装的芯片)插到待测样品(Device Under Test,简称DUT)测试板上,再将DUT测试板接到测试机台(Tester)上,通过测试机台的测试获得相应的测试数据。
对于Nor-flash而言,其电源脉冲电源(voltage pulse power,简称Vpp)信号的驱动能力非常弱。因此,在擦写过程当中非常容易受到外界的影响。为此,在进行擦写动作时Nor-flash的Vpp信号端一般与外界断开。FT测试包含了擦出和写入动作的电性测试,因此进行FT测试时待测产品的Vpp信号端处于悬空状态。而在VT测试过程中,则需要通过所述Vpp信号端向所述待测产品提供测试所需的电压。由此可见,所述FT测试与VT测试在硬件连接上是有差异的。
目前,FT测试和VT测试通常需要使用不同的DUT测试板,在不同的测试程序中完成。虽然,部分DUT测试板通过跳线方式能够改变连接线路,实现Vpp信号端与测试通道(tester channel)或接地信号端(GND)的连接。即在FT测试时待接地信号端(GND)与待测产品的Vpp信号端连接(此时Vpp信号端处于悬空状态),而在VT测试时测试通道(testerchannel)通过跳线与待测产品的Vpp信号端连接(此时tester channel通过Vpp信号端向待测产品提供测试所需的电压)。但是,进行FT测试和VT测试仍需建立不同的测试程序,分别进行。而且,跳线方式是通过外部短接线实现的,因此Vpp信号端与测试通道的连接方式是固定的,无法实现自动切换。
基此,如何解决现有的Nor-flash无法在同一测试程序中完成FT测试和VT测试的问题,成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种DUT测试板及其使用方法,以解决现有技术中Nor-flash无法在同一测试程序中完成FT测试和VT测试的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种DUT测试板,所述DUT测试板包括:电源信号选择单元、DUT信号选择单元和自动切换单元;
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