[发明专利]一种LED芯片制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED芯片制作技术领域，尤其涉及一种LED芯片制作方法。

背景技术

发光二极管简称为LED。由含镓、砷、磷、氮等的化合物制成。当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管。在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光，氮化镓二极管发蓝光。因化学性质又分有机发光二极管OLED和无机发光二极管LED。随着相关技术的发展，在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。但是，目前LED芯片的制作成本高，工艺过程复杂，效率低。

发明内容

本发明的目的在于通过一种LED芯片制作方法，来解决以上背景技术部分提到的问题。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种LED芯片制作方法，其包括如下步骤：

S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延片；

S102、将芯片固定在支架座上；

S103、正面涂胶保护层；

S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶；

S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶；

S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶；

S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻；

S108、镀膜，剥离，切割。

特别地，所述步骤S108中退火之前还包括：SiO2腐蚀，去胶，N极图形光刻，预清洗，镀膜，剥离，退火，P极图形光刻。

本发明提出的LED芯片制作方法工艺步骤简单，易实施，成本低，且制作效率高。

附图说明

图1为本发明实施例提供的LED芯片制作方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容，除非另有定义，本文所使用的所有技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，不是旨在于限制本发明。

请参照图1所示，图1为本发明实施例提供的LED芯片制作方法流程图。

本实施例中LED芯片制作方法具体包括如下步骤：

S101、采用有机金属化学气相沉积方法生产外延。S102、将芯片固定在支架座上。S103、正面涂胶保护层。

S104、采用倒模机、扩晶机进行固晶。

S105、透明电极图形光刻，腐蚀，去胶。S106、平台图形光刻，干法刻蚀，去胶。

S107、退火，SiO2沉积，窗口图形光刻。

S108、镀膜，剥离，切割。所述步骤S108中退火之前还包括：SiO2腐蚀，去胶，N极图形光刻，预清洗，镀膜，剥离，退火，P极图形光刻。

本发明的技术方案工艺步骤简单，易实施，成本低，且制作效率高。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。