[发明专利]一种基于SOI的单端口SRAM单元及其制作方法

权利要求书

1.一种基于SOI的单端口SRAM单元，所述基于SOI的单端口SRAM单元包括：

第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；

第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；

获取管，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成；

其中，所述第三NMOS管的源极连接至所述第一反相器的输出端及所述第二反相器的输入端，栅极连接至存储器的字线，漏极连接至存储器的位线；

所述第四NMOS晶体管的源极连接至所述第二反相器的输出端及所述第一反相器的输入端，栅极连接至存储器的字线，漏极连接至存储器的反位线；

其特征在于：

所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管均包括体接触区、栅区、位于所述栅区下的体区、位于所述体区横向第一侧的源区及位于所述体区横向第二侧的的漏区；其中：所述栅区两端均向其横向第二侧方向延伸，形成“L”型弯折角；所述体接触区与所述体区接触，并包围所述源区的纵向两端及底部；所述体接触区的掺杂类型与所述源区的掺杂类型相反，且掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述体接触区两端均沿所述栅区的弯折角外侧区域弯折，形成“L”型弯折角。

3.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述源区的纵向宽度大于或等于所述漏区的纵向宽度。

4.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述栅区、源区、漏区及体接触区上部均形成有金属硅化物。

5.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述栅区包括形成于所述体区上的栅介质层以及位于所述栅介质层上的栅极，且所述栅区周围设有侧墙隔离结构。

6.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述基于SOI的单端口SRAM单元采用自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，各晶体管所在有源区之间通过上下贯穿所述顶层硅的浅沟槽隔离结构隔离。

7.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管中至少有一个采用与所述第一、第二NMOS晶体管相同的结构。

8.根据权利要求1所述的基于SOI的单端口SRAM单元，其特征在于：所述第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管中至少有一个采用普通栅NMOS管、T型栅NMOS管或H型栅NMOS管。

9.一种基于SOI的单端口SRAM单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：提供一自下而上依次包括背衬底、绝缘埋层及顶层硅的SOI衬底，在所述顶层硅中制作浅沟槽隔离结构，定义出有源区；

S2：依据所述有源区的位置在所述顶层硅中制作N阱、第一P阱及第二P阱，其中，所述N阱位于所述第一P阱及第二P阱之间；

S3：在所述N阱中制作第一PMOS晶体管及第二PMOS晶体管；在所述第一P阱中制作第一NMOS晶体管及第三NMOS晶体管；在所述第二P阱中制作第二NMOS晶体管及第四NMOS晶体管；其中，所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管及第二NMOS晶体管均包括体接触区、栅区、位于所述栅区下的体区、位于所述体区横向第一侧的源区及位于所述体区横向第二侧的的漏区；所述栅区两端均向其横向第二侧方向延伸，形成“L”型弯折角；所述体接触区与所述体区接触，并包围所述源区的纵向两端及底部；所述体接触区的掺杂类型与所述源区的掺杂类型相反，且掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度。

S4：制作金属过孔及相应金属连线，以完成所述SRAM单元的制作。