[发明专利]半导体存储装置、其擦除方法及编程方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的擦除方法，所述半导体存储装置的擦除方法的特征在于包括以下步骤：

对选择块施加擦除脉冲；

在所述选择块的擦除校验为不合格、且所述擦除脉冲的施加次数达到预先决定的次数的情况下，检测所述选择块的与非串的不良数；以及

当所检测出的所述与非串的不良数为固定数以下时，以能够使用所述选择块的状态结束擦除，当所述不良数超过所述固定数时，将所述选择块作为不能够使用的坏块而进行管理。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置的擦除方法，其特征在于，所述固定数为能够通过差错检测与校正来修复的位数以下。

3.一种半导体存储装置的编程方法，所述半导体存储装置的编程方法的特征在于包括以下步骤：

检测选择块的与非串的不良数；

基于所检测出的所述与非串的不良数，来决定编程校验中能够容许的不合格位数；

对所述选择块的选择页面施加编程脉冲；以及

基于所述能够容许的不合格位数来进行所述选择页面的编程校验，

所述编程校验在所述选择页面的编程不良位数为所述能够容许的不合格位数以下时判定为疑似合格。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置的编程方法，其特征在于，所述能够容许的不合格位数为能够通过差错检测与校正来修复的位数以下。

5.根据权利要求3或4所述的半导体存储装置的编程方法，其特征在于，所述能够容许的不合格位数与所述与非串的不良数的增加相应地而减少。

6.根据权利要求3所述的半导体存储装置的编程方法，其特征在于，检测所述选择块的与非串的不良数的步骤包括进行反向读出的步骤，所述反向读出的步骤自所述选择块的共用源极线对所述与非串施加电压而进行读出。

7.根据权利要求3所述的半导体存储装置的编程方法，其特征在于，所述编程方法还包括进行应编程的数据的差错检测与校正处理的步骤，且

由所述与非串的不良导致的差错在数据的读出时通过所述差错检测与校正处理而校正。

8.一种半导体存储装置，其特征在于，包含：

存储器阵列，包含多个与非串；

输出电路，经由位线而连接于所述存储器阵列的所述与非串，并输出所述与非串的不良的有无；以及

检测电路，连接于多个所述输出电路，并检测选择块的所述与非串的不良数，

所述半导体存储装置还包含擦除所述选择块的擦除部件，且

在所述选择块的擦除校验为不合格、且擦除脉冲的施加次数达到预先决定的次数的情况下，当由所述检测电路所检测出的所述与非串的不良数为固定数以下时，所述擦除部件以能够使用所述选择块的状态结束擦除，当不良数超过所述固定数时，所述擦除部件将所述选择块作为不能够使用的坏块而进行管理。

9.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，所述检测电路包含：第1电路，生成与多个所述输出电路的所述与非串的不良的有无相应的检测电压；第2电路，生成基准电压；及比较电路，比较所述检测电压与所述基准电压，且所述比较电路检测连接于多个所述输出电路的所述与非串的不良数。

10.根据权利要求8或9所述的半导体存储装置，其特征在于，所述半导体存储装置还包含通过自所述选择块的共用源极线对所述与非串施加电压，并对所述选择块的所有页面施加校验电压而进行所述选择块的多个所述与非串的反向读出的部件，所述输出电路基于所述反向读出部件的读出结果来输出所述与非串的不良的有无。

11.根据权利要求8所述的半导体存储装置，其特征在于，所述半导体存储装置还包含对所述选择块的选择页面进行编程的编程部件，且

所述编程部件基于能够容许的不合格位数来进行所述选择页面的编程校验，所述能够容许的不合格位数是基于由所述检测电路所检测出的所述与非串的不良数而设定。