[发明专利]腔体泄漏检测方法及其装置

说明书

本发明公开一种腔体泄漏检测方法及其装置。腔体泄漏检测方法包括：对所述腔体执行清洗工序后进行等离子体反应的步骤；以及，通过分析所述等离子体反应检测所述腔体的泄漏的步骤。本发明的腔体泄漏检测方法及其装置能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏。

技术领域

本发明涉及腔体泄漏检测方法及其装置。

背景技术

在真空状态执行半导体工序的腔体发生泄漏的情况下，具有引发设备不良的问题。对此，目前通过残余气体分析仪(RGA)、上升率(Rate of Rise)、氦气检漏仪(Hedeteetor)等检测腔体泄漏。

但目前的这些检测腔体泄漏的方式需要特殊设备，或为了检测泄漏而消耗相当长的准备时间，因此对工序造成影响。

除上述方式以外，还有在工序过程中通过等离子体反应检测腔体泄漏的方法。但由于工序过程中通过等离子体反应检测腔体泄漏的现有方法受到半导体工序期间位于腔体内侧的沉积物质等影响，因此无法准确检测腔体泄漏。

发明内容

技术问题

本发明的目的在于提供一种能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏的腔体泄漏检测方法及其装置。

技术方案

根据本发明的一个方面，提供一种能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏的腔体泄漏检测方法。

根据本发明的一个实施例，能够提供一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，包括：对所述腔体执行清洗工序后进行等离子体反应的步骤；以及，通过分析所述等离子体反应检测所述腔体的泄漏的步骤。

所述泄漏的检测能够在所述清洗工序后、下一个半导体工序开始之前执行。

进行等离子体反应的所述步骤能够包括：所述清洗工序后通过注入等离子体反应气体泵吸所述清洗工序中使用的清洗气体的步骤；以及，使所述等离子体反应气体进行等离子体反应的步骤。

检测泄漏的所述步骤能够包括：获取关于所述等离子体反应的等离子体频谱的步骤；以及，通过分析所述等离子体频谱，检测到除关于所述等离子体反应气体的频谱以外的对象物质的频谱的情况下，判断为所述腔体存在泄漏的步骤，其中，所述对象物质为N₂、O₂。

获取等离子体频谱的所述步骤能够在100至1000nm之间的波段以0.1至10nm之间的分辨率获取所述等离子体频谱。

根据本发明的另一实施例，能够提供一种腔体泄漏检测方法，是检测腔体泄漏的方法，其特征在于，包括：在第一半导体工序与第二半导体工序之间执行清洗工序的步骤；以及，在所述第一半导体工序与所述第二半导体工序之间检测所述腔体的泄漏的步骤，其中，所述清洗工序与所述泄漏的检测非同时进行。

根据本发明的另一方面，提供一种能够在不影响半导体工序的情况下迅速检测腔体泄漏的腔体泄漏检测装置。

根据本发明的一个实施例，能够提供一种腔体泄漏检测装置，是检测腔体泄漏的装置，包括：获取部，其在所述腔体的清洗工序后获取关于等离子体反应的等离子体频谱；以及，泄漏检测部，其通过分析所述等离子体频谱检测所述腔体的泄漏。

所述获取部是能够获取关于所述等离子体反应的等离子体频谱的图形传感器或分光仪，所述图像传感器或分光仪能够在100至1000nm之间的波段具有0.1至10nm之间的分辨率。

所述泄漏的检测是能够在所述清洗工序后、下一个半导体工序开始之前执行。

所述泄漏检测部在对所述等离子体频谱的分析结果为检测到除等离子体反应气体的频谱以外的对象物质的频谱的情况下，能够判断为所述腔体存在泄漏。