[发明专利]一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备

权利要求书

1.一种腔室温度控制方法，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，其特征在于，包括：

判断所述腔室的当前工艺类型；

控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述腔室的当前工艺类型具体为：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述冷却系统包括冷却风机，所述方法还包括：

检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内具体为：

如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

8.一种腔室温度控制装置，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，其特征在于，包括：

判断模块，用于判断所述腔室的当前工艺类型；

控制模块，用于控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述判断模块具体用于：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上与生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

12.根据权利要求8-11中任一项所述的装置，其特征在于，所述冷却系统包括冷却风机，所述装置还包括：

检测模块，用于检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述控制模块控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述控制模块包括：

降低转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

提高转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

14.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

设置模块，用于如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

15.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述设备还包括权利要求8至14中的任一项所述的装置。