[发明专利]一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备

说明书

技术领域

本发明涉及微电子领域，更具体地，本发明涉及一种腔室温度控制方法、装置及半导体工艺设备。

背景技术

在外延工艺的过程中，由于硅外延设备机台腔室内含有外延工艺反应气体，且上盖温度过高或过低时，很容易在上盖上发生硅沉积的现象，上盖沉积的硅颗粒会在外延工程中掉落到外延层表面，严重影响外延层表面的质量，而且上盖的硅沉积会使其上盖受到很强的应力，可能导致上盖的破裂，存在很高的危险。

发明内容

本发明的一个目的是提供一种控制腔室温度以减少腔室上盖硅沉积的新技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种腔室温度控制方法，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，包括：

判断所述腔室的当前工艺类型；

控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述判断所述腔室的当前工艺类型具体为：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

可选的是，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

可选的是，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

可选的是，所述冷却系统包括冷却风机，所述方法还包括：

检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内具体为：

如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

可选的是，所述方法还包括：

如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

根据本发明的第二方面，提供了一种腔室温度控制装置，所述腔室包括对所述腔室进行密封的上盖和对所述上盖进行温度控制的冷却系统，包括：

判断模块，用于判断所述腔室的当前工艺类型；

控制模块，用于控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述判断模块具体用于：

判断所述当前工艺类型是否为外延工艺；和/或，

判断所述当前工艺类型是否为刻蚀工艺。

可选的是，对应所述当前工艺类型的设定温度范围具体为：

对应外延工艺的设定温度范围被设置为抑制外延工艺反应气体在所述上盖上与生成沉积物；

对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为抑制刻蚀工艺反应气体与所述沉积物发生反应的逆反应。

可选的是，所述对应外延工艺的设定温度范围被设置为570℃-580℃；所述对应刻蚀工艺的设定温度范围被设置为590℃-600℃。

可选的是，所述冷却系统包括冷却风机，所述装置还包括：

检测模块，用于检测所述冷却风机的转速自动控制功能是否为开启状态，如是，则控制所述控制模块控制所述冷却系统，以将所述上盖的温度保持在对应所述当前工艺类型的设定温度范围内。

可选的是，所述控制模块包括：

降低转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度低于对应工艺的设定温度范围的下限值，则降低所述冷却风机的转速；

提高转速单元，用于如果检测到所述上盖的温度高于对应工艺的设定温度范围的上限值，则提高所述冷却风机的转速。

可选的是，所述装置还包括：

设置模块，用于如果检测到所述腔室中配置有反应气体，则设定所述冷却风机的转速自动控制功能为开启状态。

根据本发明的第三方面，提供了一种半导体工艺设备，所述设备还包括前述的腔室温度控制装置。

本发明的发明人发现，在现有技术中，存在腔室温度控制不当易使上盖发生硅沉积的现象。因此，本发明所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本发明是一种新的技术方案。