[发明专利]用于形成蜂窝阵列的图案的方法有效
申请号: | 201610506207.5 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106910670B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 潘槿道;金永式;卜喆圭 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/8239 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建国;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 蜂窝 阵列 图案 方法 | ||
1.一种用于形成图案的方法,所述方法包括:
在底层之上形成椭圆形柱体,其中,柱体组合而形成菱形阵列,使得分离空间位于菱形阵列的中心;
以大体上共形的方式形成包围柱体的引导晶格,使得在分离空间内限定第一窗口;
去除柱体以形成第二窗口;
形成填充第一窗口和第二窗口的嵌段共聚物层;
将第一窗口内的嵌段共聚物层相分离成第一区域和第一矩阵;
将每个第二窗口内的嵌段共聚物层相分离成多个第二区域和第二矩阵;以及
去除第一区域和多个第二区域,以分别形成第一开口和多个第二开口,
其中,引导晶格具有提供第一窗口和第二窗口的晶格形状,
其中,每个第二窗口具有长轴宽度和短轴宽度,并且长轴宽度与短轴宽度不同,以及
其中,第一窗口具有圆形孔形状或正方形孔形状。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,柱体包括第一柱体、第二柱体、第三柱体和第四柱体,
其中,每个柱体包括突出侧和长侧,
其中,长侧与突出侧连续地连接,
其中,第一柱体和第二柱体的突出侧彼此面对,以及
其中,第三柱体和第四柱体的长度彼此面对。
3.根据权利要求1所述的方法,
其中,每个柱体具有在长轴方向上的第一宽度和在短轴方向上的第二宽度,以及
其中,第一宽度和第二宽度彼此不同。
4.根据权利要求3所述的方法,
其中,分离空间具有第三宽度,
其中,第一宽度比第三宽度大,以及
其中,第二宽度比第三宽度小。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,形成引导晶格包括:
形成覆盖柱体的引导层;以及
执行针对引导层的各向异性刻蚀,以形成引导晶格。
6.根据权利要求1所述的方法,
其中,每个柱体具有椭圆形形状,以及
其中,柱体的长轴彼此沿相同的方向延伸。
7.根据权利要求1所述的方法,
其中,形成在每个第二窗口内的多个第二区域的数目为2。
8.根据权利要求1所述的方法,
其中,形成在第二窗口内的多个第二区域组合而形成六边形图案,以及
其中,第一区域位于六边形图案的中心。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括:
图案化底层,以形成通孔,
其中,通孔从第一开口和多个第二开口延伸。
10.根据权利要求9所述的方法,
其中,通过将第一矩阵和第二矩阵以及引导晶格组合用作刻蚀掩模来刻蚀底层而形成通孔。
11.一种用于形成图案的方法,所述方法包括:
在底层之上形成引导晶格,使得在底层之上限定第一窗口和多个第二窗口,其中,多个第二窗口组合形成菱形图案,其中,每个第二窗口具有细长的结构,以及其中,第一窗口位于菱形图案的中心;
形成填充第一窗口和多个第二窗口的嵌段共聚物层;
将第一窗口内的嵌段共聚物层相分离成第一区域和第一矩阵;
将每个第二窗口内的嵌段共聚物层相分离成多个第二区域和第二矩阵;以及
去除第一区域和多个第二区域,以分别形成第一开口和多个第二开口,
其中,引导晶格具有提供第一窗口和第二窗口的晶格形状,
其中,每个第二窗口具有长轴宽度和短轴宽度,并且长轴宽度与短轴宽度不同,以及
其中,第一窗口具有圆形孔形状或正方形孔形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造