[发明专利]用于形成蜂窝阵列的图案的方法

说明书

一种用于形成图案的方法包括在底层上形成椭圆形柱体。椭圆形柱体具有细长的特征，并且包括突出侧以及与突出侧连接的长侧，并且四个椭圆形柱体在分离空间的周围形成菱形阵列。附接至椭圆形柱体的侧面的引导晶格形成为在分离空间内打开第一窗口。通过选择性地去除椭圆形柱体，而在引导晶格内形成第二窗口。嵌段共聚物层形成为填充第一窗口和第二窗口。将嵌段共聚物层相分离，以在第一窗口内形成第一区域和第一矩阵以及在第二窗口内形成多个第二区域和第二矩阵。选择性地去除第一区域和第二区域，以形成第一开口和第二开口。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月23日提交的申请号为10-2015-0184670的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例涉及半导体技术，更具体地，涉及用于形成蜂窝阵列的精细图案的方法。

背景技术

随着半导体产业快速地增长，已经致力于实现具有高器件密度的集成度更高的电路。为了降低半导体器件的单位单元所占据的面积，并且将更多的器件集成在半导体衬底的有限面积中，已经试验了各种技术，实现具有小到几纳米至几十纳米的临界尺寸(CD)的图案。

当仅用光刻工艺来形成半导体器件的精细图案时，由于光学系统的图像分辨率限制和在光刻工艺中所使用的曝光光源的波长，因而在形成精细图案上会存在一些限制。为了克服曝光分辨率限制或者图像分辨率限制，已经尝试了非光刻图案化技术。例如，已经尝试了使用聚合物分子的自组装特性和嵌段共聚物材料的相分离的方法。

发明内容

根据一个实施例，提供了一种用于形成图案的方法。所述方法包括在底层上形成椭圆形柱体。每个椭圆形柱体具有细长的特征，并且包括突出侧以及与突出侧连接的长侧，并且四个椭圆形柱体在分离空间的周围形成菱形阵列。引导晶格形成为附接至椭圆形柱体的侧面，并且在分离空间内打开第一窗口。通过选择性地去除椭圆形柱体而在引导晶格内形成第二窗口。嵌段共聚物层形成为填充第一窗口和第二窗口。将嵌段共聚物层相分离，以在第一窗口内形成第一区域和第一矩阵以及在第二窗口内形成多个第二区域和第二矩阵。选择性地去除第一区域和第二区域，以形成第一开口和第二开口。

根据一个实施例，提供了一种用于形成图案的方法。所述方法包括在底层上形成具有横向细长的第二窗口的引导晶格。第二窗口设置为包围第一窗口并且形成菱形阵列。嵌段共聚物层形成为填充第一和第二窗口。将嵌段共聚物层相分离，以在第一窗口内形成第一区域和第一矩阵以及在第二窗口内形成多个第二区域和第二矩阵。选择性地去除第一区域和第二区域，以形成第一开口和第二开口。

根据一个实施例，提供了一种用于形成图案的方法。所述方法包括在底层上形成椭圆形柱体，所述椭圆形柱体包括突出侧以及与突出侧连接的长侧，并且具有细长的特征，从而使得突出侧彼此面对而长侧彼此对角地面对，并且分离空间位于相对的突出侧之间。在分离空间内形成附接至椭圆形柱体的侧面并且打开第一窗口的引导晶格。通过选择性地去除椭圆形柱体，而在引导晶格内形成第二窗口。嵌段共聚物层形成为填充第一窗口和第二窗口。将嵌段共聚物层相分离，以在第一窗口内形成第一区域和第一矩阵以及在第二窗口内形成多个第二区域和第二矩阵。选择性地去除第一区域和第二区域，以形成第一开口和第二开口。

附图说明

结合附图和所附的具体描述，本发明的各种实施例将变得更加显然，其中：

图1至图18为图示了根据一个实施例的用于形成图案的方法的示意图；以及

图19至图20为图示了在一些实施例中使用的嵌段共聚物(BCP)的相分离的示意图。

具体实施方式