[发明专利]硅片表面吹干装置在审
申请号: | 201610507777.6 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN107564832A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 崔敏娟 | 申请(专利权)人: | 崔敏娟 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英 |
地址: | 214177 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 表面 吹干 装置 | ||
技术领域
本发明涉及光伏领域,尤其涉及一种硅片表面吹干装置。
背景技术
目前,硅片在生产过程中,需经过吹干工序,用于将硅片表面吹干,现有市场上的硅片表面吹干装置存在结构复杂、成本高,效率低的问题,由此,急需解决。
发明内容
本发明的目的在于针对上述问题,提供一种硅片表面吹干装置,以解决现有硅片表面吹干装置结构复杂、成本高、效率低的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现:
一种硅片表面吹干装置,包括机座,所述机座上转动连接有上辊轴、下辊轴,所述上辊轴上安装有上辊轮,所述下辊轴上安装有下辊轮,所述上辊轮、下辊轮之间形成有用于运输硅片的输送辊道,机座上位于上辊轮的上部安装有上气管,所述上气管与上气源相连,且上气管上均布有若干个上出气孔,所述机座上位于下辊轮的下部安装有下气管,所述下气管与下气源相连,且下气管上均布有若干个下出气孔。
作为本发明的一种优选方案,所述上气管与上气源相连的管路上设置有上压力调节阀,所述下气管与下气源相连的管路上设置有下压力调节阀。
本发明的有益效果为,所述硅片表面吹干装置结构简单、易于实现,通过设置上气管、下气管,可同时对硅片的两面进行吹干,大大提高了效率。
附图说明
图1为本发明硅片表面吹干装置的结构示意图。
图中:
1、机座;2、上辊轴;3、下辊轴;4、上辊轮;5、下辊轮;6、上气管;7、上气源;8、上压力调节阀;9、上出气孔;10、下气管;11、下气源;12、下压力调节阀;13、下出气孔。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是,此处所描述的实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。
请参照图1所示,图1为本发明硅片表面吹干装置的结构示意图。
于本实施例中,一种硅片表面吹干装置,包括机座1,所述机座1上转动连接有上辊轴2、下辊轴3,所述上辊轴2上安装有上辊轮4,所述下辊轴3上安装有下辊轮5,所述上辊轮4、下辊轮5之间形成有用于运输硅片的输送辊道,机座1上位于上辊轮4的上部安装有上气管6,所述上气管6与上气源7相连,且上气管6与上气源7相连的管路上设置有上压力调节阀8,所述上气管6上均布有若干个上出气孔9,所述机座1上位于下辊轮5的下部安装有下气管10,所述下气管10与下气源11相连,且下气管10与下气源11相连的管路上设置有下压力调节阀12,所述下气管10上均布有若干个下出气孔13。
上述硅片表面吹干装置结构简单、易于实现,通过设置上气管6、下气管10,可同时对硅片的两面进行吹干,大大提高了效率。
以上实施例只是阐述了本发明的基本原理和特性,本发明不受上述实施例限制,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还有各种变化和改变,这些变化和改变都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造