[发明专利]一种感光元件、指纹识别面板及制备方法、指纹识别装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种感光元件、指纹识别面板及制备方法、指纹识别装置。

背景技术

感光元件能够将不同强度的光线转化为不同大小的光电流，因此感光元件在获取光强参数以及通过不同的光强获取图案等领域得到广泛的应用。

例如，在指纹识别元件获取和识别指纹的领域中，当手指置于指纹识别元件的上方时，由于手指的谷和脊反射至感光元件的光强不同，使得该感光元件产生的光电流不同，进而处理器能够根据不同的光电信号获取手指的指纹图案。然而，在制作上述指纹识别元件的过程中，由于需要在制作有上述感光元件的基板上制作其它膜层结构，而其它膜层的制备过程会对感光元件的上表面造成影响。例如，如图1所示，感光元件100由PIN结构组成。当在PIN结构的表面形成钝化层11，在钝化层11的表面形成过孔时，由于在通过刻蚀工艺形成过孔的过程中，容易对感光元件100的半导体层例如图1中的N型半导体层进行刻蚀，从而对PIN结构造成一定的损坏，进而会降低该感光元件100的感光效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种感光元件、指纹识别面板及制备方法、指纹识别装置，能够避免在制作其他薄膜层的过程中对感光元件的中的半导体层造成损坏。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例一方面提供一种感光元件的制备方法，包括：在衬底基板上形成第一电极；在形成有所述第一电极的衬底基板上形成第一钝化层，在所述第一钝化层对应所述第一电极的位置通过构图工艺形成第一过孔；在形成有所述第一过孔的衬底基板上通过构图工艺形成第一半导体层，且所述第一半导体层通过所述第一过孔与所述第一电极相连接；在形成有所述第一半导体层的衬底基板上通过构图工艺形成本征半导体层，所述本征半导体层完全覆盖所述第一半导体层，并覆盖所述第一半导体层侧面的部分所述第一钝化层；在形成有所述本征半导体层的衬底基板上通过构图工艺形成第二半导体层；在形成有所述第二半导体层的衬底基板上通过构图工艺形成第二电极，所述第二电极完全覆盖所述第二半导体层的表面，且至少覆盖所述本征半导体层与所述第二半导体层的侧面。

进一步的，所述的感光元件的制备方法还包括在形成所述第二电极的衬底基板上形成第二钝化层。

本发明实施例另一方面还提供一种指纹识别面板的制备方法，包括上述任一种感光元件的制备方法，所述指纹识别面板的制备方法还包括：在衬底基板上形成第一信号线，所述第一信号线与第一电极相连接；在衬底基板上形成第二信号线，所述第二信号线与第二电极相连接；其中，所述第二电极的材料为透明导电材料，所述第一电极的材料为金属材料。

进一步的，所述的指纹识别面板的制备方法还包括：在所述衬底基板上通过一次构图工艺形成识别控制晶体管的栅极以及与所述栅极相连接的扫描信号线；在形成有所述栅极和所述扫描信号线的所述衬底基板上，通过构图工艺形成所述识别控制晶体管的源极、漏极，所述源极与所述第一信号线相连接，所述漏极与所述第一电极相连接；其中，所述第一信号线和所述扫描信号线交叉界定出多个阵列排布的指纹识别单元，每一个所述指纹识别单元包括所述感光元件以及所述识别控制晶体管。

进一步的，所述感光元件的面积与设置有所述感光元件的指纹识别单元的面积的比值为0.3至0.8。

进一步的，所述第一信号线、所述第一电极以及所述识别控制晶体管的源极、漏极采用一次构图工艺制得。

进一步的，所述第二信号线与所述识别控制晶体管的栅极采用一次构图工艺制得。

本发明实施例再一方面还提供一种感光元件，包括衬底基板，所述感光元件还包括：依次设置于所述衬底基板上的第一电极、第一钝化层、第一半导体层、本征半导体层、第二半导体层以及第二电极；其中，所述第一钝化层对应所述第一电极的位置设置有第一过孔，所述第一半导体层通过所述第一过孔与所述第一电极相连接；所述本征半导体层完全覆盖所述第一半导体层，并覆盖所述第一半导体层侧面的部分所述第一钝化层；所述第二电极完全覆盖所述第二半导体层的表面，且至少覆盖所述本征半导体层与所述第二半导体层的侧面。

本发明实施例又一方面还提供一种指纹识别面板，包括上述感光元件。

本发明实施例另一方面还提供一种指纹识别装置，包括上述指纹识别面板。