[发明专利]一种数据处理方法以及数据处理设备在审
申请号: | 201610511254.9 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN107562567A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 毛波;吴素贞;王雅坤 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G06F11/14 | 分类号: | G06F11/14 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据处理 方法 以及 设备 | ||
1.一种数据处理方法,其特征在于,包括:
获取第一上层数据,所述第一上层数据包括逻辑地址;
根据所述逻辑地址判断所述第一上层数据的类型是否为日志数据;
若所述第一上层数据的类型为日志数据,则将所述第一上层数据的所述逻辑地址修改为第一存储地址和第二存储地址,所述第一存储地址用于指示所述第一上层数据在随机存取存储器RAM中的存储位置,所述第二存储地址用于指示所述第一上层数据在闪存FLASH中的存储位置;
将所述第一上层数据按照所述第一存储地址写入所述RAM,并将所述第一上层数据按照所述第二存储地址写入所述FLASH。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述第一上层数据按照所述第一存储地址写入所述RAM,并将所述第一上层数据按照所述第二存储地址写入所述FLASH之前,将所述第一层数据的逻辑地址修改为第一存储地址和第二存储地址之后,所述方法还包括:
在所述第一上层数据占用的存储空间为所述FLASH的数据块占用的存储空间的整数倍,且所述第一上层数据的第一偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目等于所述第一上层数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目的情况下,则触发将所述第一上层数据按照所述第一存储地址写入所述RAM,并将所述第一上层数据按照所述第二存储地址写入所述FLASH,所述第一偏移地址为所述第二存储地址中的位置标识。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第一上层数据的第一偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目不等于所述第一上层数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目的情况下,则将所述第一偏移地址修改为第二偏移地址生成第三存储地址,所述第二偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目为所述第一上层数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目;
将所述第一上层数据按照所述第一存储地址写入所述RAM,并将所述第一上层数据按照所述第三存储地址写入所述FLASH。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若所述第一上层数据的占用的存储空间不等于所述FLASH的数据块占用的存储空间的整数倍,则获取第二上层数据;
若所述第二上层数据的类型为日志数据,则将所述第一上层数据与所述第二上层数据进行合并优化生成整合数据;
在所述整合数据占用的存储空间为所述FLASH的数据块占用的存储空间的整数倍,且所述整合数据的第三偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目等于所述整合数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目的情况下,则将所述整合数据按照所述第四存储地址写入所述RAM,并将所述整合数据按照所述第五存储地址写入所述FLASH,所述第四存储地址用于指示所述整合数据在所述RAM中的存储位置,所述第五存储地址用于指示所述整合数据在所述FLASH中的存储位置,所述第三偏移地址为所述第五存储地址中的位置标识。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述第三偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目不等于所述整合数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目的情况下,则将所述第三偏移地址修改为第四偏移地址生成第六存储地址,所述第四偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目等于所述整合数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目;
将所述整合数据按照所述第四存储地址写入所述RAM,并将所述整合数据按照所述六存储地址写入所述FLASH。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述第一上层数据按照所述第一存储地址写入所述RAM,并将所述第一上层数据按照所述第二存储地址写入所述FLASH之后,所述方法还包括:
在所述第一上层数据对应的业务数据写操作完成的情况下,根据所述第二存储地址查找存储在所述FLASH中的所述第一上层数据;
将所述FLASH中存储所述第一上层数据的数据块进行擦除并标记擦除操作后的所述数据块可用。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述RAM为预留RAM,所述FLASH为预留FLASH。
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