[发明专利]一种数据处理方法以及数据处理设备

说明书

技术领域

本发明涉及终端领域，尤其涉及一种数据处理方法以及数据处理设备。

背景技术

目前大部分手机采用的Linux内核默认使用第四代扩展文件系统(英文全称：Fourth Extended File System，简称EXT4)是Linux操作系统下的一种日志文件系统，同时手机通常上的许多应用都依赖于SQLite数据库。EXT4通过日志记录，该文件系统提供了数据一致性。依据可靠性的强弱，日志记录有3种不同的模式，分别为日志(Journal)、预定(Ordered)以及写回(Write back)，其中日志模式记录文件系统所有数据和元数据的改变，预定模式记录文件系统元数据的改变并在日志记录完成后写入数据，写回模式记录文件系统元数据的改变但数据被直接写入存储单元。SQLite数据库也通过日志提供应用层面的数据一致性。

现有技术中通过修改手机下层EXT4的日志记录方式，对SQLite的不同类型数据采用不同的日志模式，SQLite的日志数据用Ordered日志模式，而SQLite的业务数据则采用Journal的日志模式。即该手机将SQLite的日志数据存储到随机存取存储器(英文全称：random access memory，简称：RAM)中，而将SQLite的业务数据和延迟后的日志数据写入到Flash中。

该方法将日志数据存储在RAM，而RAM在出现故障后容易丢失保存的数据，导致日志数据容易丢失。

发明内容

本申请实施例提供了一种数据处理方法以及数据处理设备，用于使得日志数据在RAM中不会发生丢失，有效保存日志数据。

第一方面，本申请实施例提供一种数据处理方法，包括：获取第一上层数据，该第一上层数据包括逻辑地址；

在实际应用中，该第一上层数据的逻辑地址可以为存储地址或请求地址或请求类型等，只要可以表明该第一上层数据的类型即可，具体此处不做限定。

根据该逻辑地址判断该第一上层数据的类型是否为日志数据；

若该第一上层数据的类型为日志数据，则将该第一上层数据的该逻辑地址修改为第一存储地址和第二存储地址，该第一存储地址用于指示该第一上层数据在随机存取存储器RAM中的存储位置，该第二存储地址用于指示该第一上层数据在闪存FLASH中的存储位置；

将该第一上层数据按照该第一存储地址写入该RAM，并将该第一上层数据按照该第二存储地址写入该FLASH。

在实际应用中，可以增加该数据处理设备的电池容量，即有效保证该数据处理设备不发生断电事故，从而有效降低RAM发生故障的概率，进而有效保存日志数据。只要可以有效保存日志数据即可，具体的实现方式，此处不做限定。

在本申请实施例中，在确定该第一上层数据的类型为日志数据之后，将该第一上层数据同时存储在RAM和FLASH中，可以有效的避免丢失该第一上层数据。

可选的，将该第一上层数据按照该第一存储地址写入该RAM，并将该第一上层数据按照该第二存储地址写入该FLASH之前，将该第一层数据的逻辑地址修改为第一存储地址和第二存储地址之后，该方法还包括：在所述第一上层数据占用的存储空间为所述FLASH的数据块占用的存储空间的整数倍，且所述第一上层数据的第一偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目等于所述第一上层数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目的情况下，则触发将所述第一上层数据按照所述第一存储地址写入所述RAM，并将所述第一上层数据按照所述第二存储地址写入所述FLASH，所述第一偏移地址为所述第二存储地址中的位置标识。

在本申请实施例中，将该第一上层数据以块对齐的方式存储到该RAM和该FLASH中，可以有效的避免写放大和过多的写入操作，并且有效的提高了FLASH的写入效率。

可选的，在基于上述的存储方式，该方法还包括：在所述第一上层数据的第一偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目不等于所述第一上层数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目的情况下，则将所述第一偏移地址修改为第二偏移地址生成第三存储地址，所述第二偏移地址指示的存储位置包含的所述FLASH的数据块的数目为所述第一上层数据占用的存储空间对应的所述FLASH的数据块的数目；