[发明专利]一种无机化合物晶体Bi(SeO3)F、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201610515541.7 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN105887204B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 毛江高;孔芳;梁铭利 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/14;G02F1/355 |
| 代理公司： | 北京元周律知识产权代理有限公司11540 | 代理人： | 张莹 |
| 地址： | 350002 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无机化合物 晶体 bi seo sub 制备 方法 应用 | ||
1.一种无机化合物晶体，其特征在于，化学式为Bi(SeO3)F，属于正交晶系，空间群为Pca21，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。
2.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述晶胞参数为
3.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体在波长370～2500nm光谱范围内的透过率不低于95％。
4.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为290～299nm。
5.根据权利要求1所述的无机化合物晶体，其特征在于，所述无机化合物晶体的紫外吸收截止波长为296nm。
6.权利要求1至5任一项所述无机化合物晶体的制备方法，其特征在于，采用水热晶化法，将含有铋源、硒源、氟源和水的原料置于180～250℃的晶化温度下晶化不少于24小时，即得所述无机化合物晶体。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述原料中铋源、硒源、氟源和水的摩尔比例为：
Bi：Se：F：H2O＝1：1～20：3～30：100～1000
其中，所述铋源的摩尔数以铋源中所含铋元素的摩尔数计；所述硒源的摩尔数以硒源中所含硒元素的摩尔数计；所述氟源的摩尔数以氟源中所含氟元素的摩尔数计。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，包含如下步骤：
(a)将铋源、硒源、氟源和水混合形成的原料置于带有聚四氟乙烯内衬的高压反应釜中，密闭后于180～250℃的晶化温度下晶化不少于24小时；
(b)晶化结束后，将体系以不超过15℃/h的速度降至室温，经分离、干燥后所得固体样品即为所述无机化合物晶体。
9.一种非线性光学晶体材料，其特征在于，含有权利要求1至5任一项所述无机化合物晶体和/或根据权利要求6至8任一项所述方法制备得到的无机化合物晶体。
10.权利要求9所述的非线性光学晶体材料在激光器中的应用。
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