[发明专利]半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括：器件区和测试区；

在所述衬底上形成介质层；

提供第一光罩，所述第一光罩包括：多个第一结构图形，所述第一结构图形包括：多个第一条状图形，所述第一条状图形相互平行，且相邻第一条状图形之间的距离相等；连接多条所述第一条状图形的第一连接图形；第一器件图形，用于在器件区形成第一器件凹槽；

提供第二光罩，所述第二光罩包括：

多个第二结构图形，所述第二结构图形包括：多个第二条状图形和连接多个所述第二条状图形的第二连接图形，相邻第二条状图形之间的距离相等，且第二条状图形间距等于第一条状图形间距；第二器件图形，用于在器件区形成第二器件凹槽；

以所述第一光罩对所述介质层进行第一图形化处理，在测试区介质层中形成多个第一结构凹槽，所述第一结构凹槽包括多个第一条形凹槽和连接所述多个第二条形凹槽的第一连接凹槽，在器件区形成多个第一器件凹槽；

以所述第二光罩对所述介质层进行第二图形化处理，在测试区介质层中形成多个第二结构凹槽，所述第二结构凹槽包括多个第二条形凹槽和连接所述多个第二条形凹槽的第二连接凹槽，多条所述第二条形凹槽分别位于相邻所述第一条形凹槽之间，在所述器件区介质层中形成第二器件凹槽；相邻第一条形凹槽之间具有凹槽平分线，所述凹槽平分线到所述相邻第一条形凹槽的距离相等；所述第二结构凹槽具有相对位移，所述相对位移是：在相邻第一条形凹槽之间，第二条形凹槽的中心线到所述凹槽平分线的位移；所述多个第二结构凹槽的所述相对位移形成凹槽等差数列；

形成多个位于所述第一条形凹槽中的第一金属线；

在所述第二条形凹槽中形成第二金属线；

在所述第一连接凹槽中形成第一连接线；

在所述第二连接凹槽中形成第二连接线；

在所述第一器件凹槽中形成第一光刻结构；

在所述第二器件凹槽中形成第二光刻结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个第一结构图形中第一条状图形的个数相同或不同；多个第二结构图形中第二条状图形的个数相同或不同。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述第一结构图形相同；多个所述第一结构图形沿第一条状图形延伸方向排列。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在同一第一结构图形中，相邻第一条状图形之间的间距为75nm～95nm；相邻第二条状图形之间的间距为75nm～95nm。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽等差数列的公差为工艺所允许的第二光罩相对于第一光罩偏移的最小单位距离。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹槽等差数列的公差为1mm～3mm。

7.一种根据权利1至6任意一项半导体结构的形成方法形成的半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括测试区和器件区；

位于所述衬底上的介质层；

位于器件区所述介质层中的第一光刻结构；

位于器件区所述介质层中的第二光刻结构；

位于测试区所述介质层中的多个金属线结构，所述金属线结构包括：

位于介质层中的多条第一金属线，所述第一金属线相互平行，且相邻第一金属线之间的距离相等；

连接多条所述第一金属线的第一连接线；

位于介质层中的多条第二金属线，各条第二金属线分别位于相邻第一金属线之间，相邻第二金属线之间的距离相等，且第二金属线间距与第一金属线间距相同；

连接多条所述第二金属线的第二连接线；

相邻第一金属线之间具有平分线，所述平分线到所述相邻第一金属线的距离相等；

所述金属线结构具有结构位移，所述结构位移是：在相邻第一金属线之间，第二金属线的中心线到所述平分线的位移；

所述多个金属线结构的多个结构位移形成位移等差数列。