[发明专利]半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法

说明书

本发明提供一种半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，衬底包括：器件区和测试区；在衬底上形成介质层；提供第一光罩，第一光罩包括多个第一条状图形连接多条第一条状图形的第一连接图形；第一器件图形；提供第二光罩，第二光罩包括：多个第二条状图形和连接多个第二条状图形的第二连接图形；第二器件图形，用于在器件区形成第二器件；以第一光罩为掩膜对所述介质层进行刻蚀；以第二光罩为掩膜对介质层进行刻蚀，在测试区介质层中形成多个第二结构凹槽；多个第二结构凹槽的所述相对位移形成凹槽等差数列。本发明可以根据位移等差数列中结构位移绝对值最小的第二金属线的位置获取第二金属线的整体偏移。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图案，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的光刻图案对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。

在微机电(MEMS)工艺中，首先是在第一层硅片上做一些结构图形，然后将第二层硅片和第一层硅片键合，接着再在第二层硅片上做结构图形。但是需要在第二层硅片上做的图形和第一层硅片上做的图形有很好的对准关系。

由于光刻工艺中的对准精度、晶圆偏移或聚焦精度等因素的影响，会使光刻胶在曝光的过程中发生偏移、旋转、缩放或正交等方面的问题，而使光刻的位置发生偏移，从而使形成的半导体器件或金属线连接线的位置发生相对偏移，进而使半导体结构的性能受到影响。特别是在形成金属布线的过程中，光刻位置的偏移容易引起金属连接线位置的偏移，从而容易导致电连接关系的错误，而使半导体结构无法正常工作。因此，在半导体结构的形成工艺中，需要对半导体器件及金属连接线位置的相对偏移进行测量。

然而，现有的检测手段很难对半导体器件及金属连接线位置的相对偏移进行测量。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法和光刻偏移的测量方法，能够对金属线的偏移进行测量。