[发明专利]一种光敏恒流电容积分测距传感器

说明书

本发明一种光敏恒流电容积分测距传感器属于技术领域，包括有光敏二极管D1、电容C1、电阻R1、恒流源H1，和MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，包括有MOS管Q6、Q7和控制接口U1；本发明在对电容充电控制电路上，采用5个MOS管，无需基准信号控制，使得制造平阵列测距传感器集成电路时，工艺更简化，在相同的感光面积上所能集成的测距像素更多。

技术领域

本发明涉及一种光敏恒流电容积分测距传感器技术领域，具体涉及一种包含光敏传感器技术、电容恒流充电积分技术，信号放大技术等。

背景技术

目前的光学测距技术主要是主动发射光波信号，再接收返回的光波信号，通过测量发送信号到返回信号的时间，计算出被测目标的距离，目前已公开的与光学测距有关的专利有：

CN94113323.0，使用相位变异的光学测距装置及其方法；

CN94113328.1，光学测距装置及其方法；

CN00135636.4，回波触发近距离激光测距方法；

CN01136400.9，一种光纤干涉测量距离的方法及测量设备；

CN03275757.3，一种激光扫描获取近距离物体表面三维数据的测量装置；

CN02233123.9，远距光学测量仪。

这些专利技术，在测距时，每次发出测距信号，只能测量一个目标点的距离。对于需要测量视场中所有目标点的距离时，只有通过一次测量一个点的方式逐点扫描来实现。存在的问题是，因是逐点扫描方式，对于运动变化的场景来说，各测量点的距离值会相对扭曲。

另一已公开的专利ZL201310372353.X 光敏恒流电容积分传感器，与本发明在电容充电控制电路上存在明显差别，本发明在对电容充电控制电路上，采用5个MOS管，无需基准信号控制，使得制造平阵列测距传感器集成电路时，工艺更简化，在相同的感光面积上所能集成的测距像素更多。

发明内容

本发明包括有光敏二极管D1、电容C1、电阻R1、恒流源H1（可用二极管工作在反向饱和电流区间实现），和MOS管Q1、Q2、Q3、Q4、Q5，包括有MOS管Q6、Q7和控制接口U1。其中：

D1的负极与Q1的D极连接， D1的正极与电源地连接。

Q1的G极与U1的“复位信号”连接，Q1的S极与VDD电源连接，Q1的D极与D1的负极和Q2的G极连接。

Q2的S极与电源VDD连接，Q2的D极与Q3的G极和R1的1端连接。

R1的2端与电源地连接。

Q3的S极与电源AVDD连接，Q3的D极与H1的1端连接。

H1的2端与C1的1端、Q4的S极、Q5的G极连接。

Q4的G极与U1的“复位信号”连接，Q4的D极与电源地连接。

C1的2端与电源地连接。

Q5的S极与电源AVDD连接，Q5的D极与Q6的S极连接。

Q6的G极与U1的“选通信号2”连接，Q6的D极与Q7的S极连接。

Q7的G极与U1的“选通信号1”连接，Q7的D极与U1的“A/D转换”连接。