[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201610531083.6 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN106711170A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 李相雨;宋河珍;李欣承 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
1.有机发光二极管显示器,包括:
衬底;
布置在所述衬底上的晶体管;以及
连接于所述晶体管的有机发光元件,
其中所述有机发光元件包括:
第一电极;
第二电极;
在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;以及
在所述第一电极与所述发射层之间的空穴辅助层,
其中所述空穴辅助层包括:
至少一个空穴阻挡层;以及
与所述空穴阻挡层接触的至少一个空穴传输层,以及
其中所述空穴辅助层的厚度为140埃至220埃。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述空穴辅助层包括多层结构,所述多层结构包括多于三个的层,其中所述空穴阻挡层和所述空穴传输层交替布置。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述空穴辅助层包括两个空穴阻挡层作为所述至少一个空穴阻挡层,并且所述至少一个空穴传输层布置在所述两个空穴阻挡层之间。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述至少一个空穴阻挡层中的每一个的厚度为30埃至60埃。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中:
所述至少一个空穴传输层中的每一个的厚度为30埃至120埃。
6.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级低于所述至少一个空穴传输层的最高占据分子轨道的能级。
7.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级低于所述发射层的最高占据分子轨道的能级。
8.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级高于所述发射层的最高占据分子轨道的能级。
9.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述至少一个空穴阻挡层的最低未占据分子轨道的能级高于所述发射层的最低未占据分子轨道的能级。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中所述空穴辅助层包括两个空穴传输层作为所述至少一个空穴传输层,并且所述至少一个空穴阻挡层布置在所述两个空穴传输层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的