[发明专利]有机发光二极管显示器在审
申请号: | 201610531083.6 | 申请日: | 2016-07-07 |
公开(公告)号: | CN106711170A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 李相雨;宋河珍;李欣承 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 王达佐,洪欣 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年11月12日提交的第10-2015-0158690号韩国专利申请的优先权和权益,其由此通过引用并入以用于所有目的,如同本文完全阐述一样。
技术领域
示例性实施方案涉及电子装置,更具体地,涉及有机发光元件以及包括该有机发光元件的有机发光二极管显示器。
背景技术
诸如移动电话、笔记本电脑、个人数字助理、平板电脑等的电子装置得到广泛使用。这些装置通常包括显示器以向用户提供可视化信息,例如图像或视频信息,以便支持各种功能。
因为液晶显示器自身不能发射光,因此液晶显示器需要另外的元件以提供背光。液晶显示器的响应速度滞后且其视角窄。有机发光二极管显示器是自发射显示元件并且不需要另外的元件来发射光。此外,有机发光二极管显示器提供了较宽的视角、优异的对比度和快速的响应时间。
有机发光二极管显示器包括有机发光元件。有机发光元件包括两个电极和在两个电极之间的发射层。由一个电极注入发射层的电子与由另一个电极注入发射层的空穴可以结合以形成激子,并且当释放能量时发射光。
在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明构思的背景的理解,并且因此,其可以包括未形成对于本领域普通技术人员来说为该国已知的现有技术的信息。
发明内容
示例性实施方案提供了具有改善的电流效率和使用寿命的有机发光元件,以及包括该有机发光元件的有机发光二极管显示器。
另外的方面将在以下详述中阐述,并且,部分地,将通过所述公开内容而变得显而易见,或者可以通过发明构思的实践而悉知。
根据示例性实施方案,有机发光元件包括第一电极;第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;以及在所述第一电极与所述发射层之间的空穴辅助层。所述空穴辅助层包括至少一个空穴阻挡层以及与所述空穴阻挡层接触的至少一个空穴传输层,并且所述空穴辅助层的厚度为140埃至220埃。
所述空穴辅助层可以包括由多于三个的层组成的多层结构,其中所述空穴阻挡层和所述空穴传输层交替布置。
所述空穴辅助层可以包括两个空穴阻挡层作为所述至少一个空穴阻挡层,并且所述至少一个空穴传输层可以布置在所述两个空穴阻挡层之间。
所述至少一个空穴阻挡层中的每一个的厚度可以为30埃至60埃。
所述至少一个空穴传输层中的每一个的厚度可以为30埃至120埃。
所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道(HOMO)的能级可以低于所述至少一个空穴传输层的最高占据分子轨道的能级。
所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级可以低于所述发射层的最高占据分子轨道的能级。
所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级可以高于所述发射层的最高占据分子轨道的能级。
所述至少一个空穴阻挡层的最低未占据分子轨道(LUMO)的能级可以高于所述发射层的最低未占据分子轨道的能级。
所述空穴辅助层可以包括两个空穴传输层作为所述至少一个空穴传输层,并且所述至少一个空穴阻挡层可以布置在所述两个空穴传输层之间。
根据示例性实施方案,有机发光二极管显示器包括:衬底;布置 在所述衬底上的晶体管;以及连接于所述晶体管的有机发光元件,其中所述有机发光元件包括:第一电极;第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层;以及在所述第一电极与所述发射层之间的空穴辅助层。所述空穴辅助层包括至少一个空穴阻挡层和与所述空穴阻挡层接触的至少一个空穴传输层,并且所述空穴辅助层的厚度为140埃至220埃。
所述空穴辅助层可以包括多于三个层的多层结构,其中所述空穴阻挡层和所述空穴传输层交替布置。
所述空穴辅助层可以包括两个空穴阻挡层作为所述至少一个空穴阻挡层,并且所述至少一个空穴传输层可以布置在所述两个空穴阻挡层之间。
所述至少一个空穴阻挡层中的每一个的厚度可以为30埃至60埃。
所述至少一个空穴传输层中的每一个的厚度可以为30埃至120埃。
所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道(HOMO)的能级可以低于所述至少一个空穴传输层的最高占据分子轨道的能级。
所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级可以低于所述发射层的最高占据分子轨道的能级。
所述至少一个空穴阻挡层的最高占据分子轨道的能级可以高于所述发射层的最高占据分子轨道的能级。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的