[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底和位于衬底上的鳍部，所述基底包括：逻辑区和存储区；

在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；

形成覆盖所述存储区鳍部侧壁的侧墙，包括：在所述鳍部顶部和侧壁表面形成侧墙材料层，去除所述逻辑区鳍部侧壁表面的侧墙材料层，保留所述存储区鳍部侧壁表面的侧墙材料层；

形成所述侧墙之后，对所述隔离结构进行防穿通离子注入；

进行防穿通离子注入之后，进行扩散处理；

在扩散处理之后，去除所述侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化锗、氧化锗或氮氧化锗。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为10埃～40埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述鳍部顶部和侧壁表面形成侧墙材料层的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，通过原子层沉积工艺形成所述侧墙材料层的工艺参数包括：反应气体包括SiH₂Cl₂或NH₃，气体流量在1500sccm～4000sccm的范围内，反应温度在400℃～600℃的范围内，反应压强在1mT～100mT的范围内。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述逻辑区鳍部侧壁表面的侧墙材料层的工艺包括：各向同性干法刻蚀、湿法刻蚀或干法、湿法刻蚀的共同应用。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙的步骤还包括：去除所述逻辑区鳍部侧壁表面的侧墙材料层之前，在所述存储区形成牺牲层；以所述牺牲层为掩膜刻蚀去除所述逻辑区鳍部侧壁表面的侧墙材料层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为光刻胶或抗反射涂层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除逻辑区鳍部侧壁表面的侧墙材料层之前，还包括去除所述鳍部顶部的侧墙材料层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构之后，形成覆盖所述存储区鳍部侧壁的侧墙。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部用于形成PMOS晶体管；进行离子注入的过程中，注入的离子为第一防穿通离子，所述第一防穿通离子包括：磷离子或砷离子。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防穿通离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E13atoms/cm²～5.0E14atoms/cm²，注入能量为10KeV～70KeV。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部用于形成NMOS晶体管；进行防穿通离子注入的过程中，注入的离子为第二防穿通离子，所述第二防穿通离包括：硼离子或氟化硼离子。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防穿通离子注入的工艺参数包括：注入剂量为1.0E13 atoms/cm²～5.0E14atoms/cm²，注入能量为2KeV～10KeV。