[发明专利]电连接结构的制备方法和集成电路芯片

权利要求书

1.一种电连接结构的制备方法，其特征在于，包括：

依次在基板上形成多个载流子区和所述载流子区上方覆盖的绝缘掩膜结构后，在所述绝缘掩膜结构中形成接触孔；

在所述接触孔中形成离子掺杂的多晶硅接触块；

在所述离子掺杂的多晶硅接触块上方形成金属连线，以完成所述电连接结构的制备。

2.根据权利要求1所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，依次在基板上形成多个载流子区和所述载流子区上方覆盖的绝缘掩膜结构后，在所述绝缘掩膜结构中形成接触孔，具体包括以下步骤：

在所述基板上形成多个所述载流子区后，采用化学气相淀积工艺和/或热氧化工艺形成氧化层，和/或采用化学气相淀积工艺形成氮化层，以作为绝缘层；

对所述绝缘层进行图形化刻蚀，以形成所述绝缘掩膜结构。

3.根据权利要求2所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，依次在基板上形成多个载流子区和所述载流子区上方形成覆盖的绝缘掩膜结构后，在所述绝缘掩膜结构中形成接触孔，具体还包括以下步骤：

在所述绝缘掩膜结构为氧化层时，采用氟系元素和/或氯系元素对所述氧化层进行干法刻蚀和/或湿法刻蚀。

4.根据权利要求2所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，依次在基板上形成多个载流子区和所述载流子区上方形成覆盖的绝缘掩膜结构后，在所述绝缘掩膜结构中形成接触孔，具体还包括以下步骤：

在所述绝缘掩膜结构为氮化层时，采用氟系元素对所述氮化层进行干法刻蚀，和/或采用磷酸溶液对所述氮化层进行湿法刻蚀。

5.根据权利要求4所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，在所述接触孔中形成离子掺杂的多晶硅接触块，具体还包括以下步骤：

在形成所述接触孔后，采用化学气相淀积工艺形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行离子注入，以形成离子掺杂的多晶硅层；

对所述离子掺杂的多晶硅层进行回刻处理，至完全去除所述接触孔外的多晶硅层为止，以形成填充于所述接触孔内的多晶硅接触块。

6.根据权利要求5所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，还包括：

在完全去除所述接触孔外的多晶硅层后，对所述接触孔内填充的多晶硅接触块进行退火处理。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，在所述离子掺杂的多晶硅接触块上方形成金属连线，以完成所述电连接结构的制备，具体还包括以下步骤：

采用金属溅射工艺、电镀工艺和蒸镀工艺中的至少一种工艺，在所述离子掺杂的多晶硅接触块上方形成金属层；

对所述金属层进行图像化刻蚀，以形成所述金属连线。

8.一种集成电路芯片，其特征在于，包括：

基板，设有多个分离的载流子区；

绝缘掩膜结构，覆盖于所述多个载流子区之上，所述绝缘掩膜结构内与所述有载流子区对应的区域形成有接触孔；

电连接结构，采用如权利要求书1至7中任一项所述的电连接结构的制备方法制备而成，所述电连接结构包括：

所述接触孔；

填充于所述接触孔内的离子掺杂的多晶硅接触块；

金属连线，形成于所述离子掺杂的多晶硅接触块的上方，以形成所述多个载流子区之间的电连接。

9.根据权利要求8所述的集成电路芯片，其特征在于，

所述离子掺杂的多晶硅接触块的生长厚度大于或等于所述接触孔的槽宽的二分之一。

10.根据权利要求8或9所述的电连接结构的制备方法，其特征在于，

所述离子掺杂的多晶硅接触块的方块电阻的范围为10～50Ω/□。