[发明专利]封装基板及其制造方法

权利要求书

1.一种封装基板制造方法，其特征在于，包含：

提供基底，其中所述基底包含电容层、设置在所述电容层第一侧的多个第一图样化电路以及设置在所述电容层相对所述第一侧的第二侧的至少一个第二图样化电路，其中所述多个第一图样化电路中两个相邻电路之间具有间隙，暴露所述电容层的第一区域，以及所述第二图样化电路与所述第一区域至少部分重合；

在所述第一区域与所述第二图样化电路重合的部分内移除部分所述电容层，以在所述电容层形成开口连通所述间隙；

在所述电容层的所述第一侧形成第一介电层，以填满所述间隙与所述开口，并覆盖所述多个第一图样化电路；以及

部分移除所述间隙与所述开口中的所述第一介电层，以暴露部分的所述第二图样化电路，

其中未经移除的所述第一介电层包覆所述电容层与所述多个第一图样化电路，并定义第一通孔。

2.如权利要求1所述的封装基板制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含在所述第一通孔中填入导电材料，以在所述第一通孔中形成第一导通路径，连接所述第二图样化电路至所述第一介电层远离所述电容层的表面。

3.如权利要求1所述的封装基板制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含对应所述多个第一图样化电路中至少一个部分地移除所述第一介电层，以形成第二通孔暴露所述多个第一图样化电路中的对应者。

4.如权利要求3所述的封装基板制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含在所述第二通孔中填入导电材料，以在所述第二通孔中形成第二导通路径，连接所述多个第一图样化电路中对应者至所述第一介电层远离所述电容层的表面。

5.如权利要求2、权利要求4任一所述的封装基板制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含在所述第一介电层远离所述电容层的所述表面形成图样化导电层，并与所述第一导通路径以及所述第二导通路径至少其中之一相接触。

6.如权利要求1所述的封装基板制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含在部分移除所述第一介电层的步骤前，在所述第一介电层远离所述电容层的表面上优先形成导电层，其中所述封装基板制造方法还包含移除所述导电层的一部分，并与所述第一介电层共同定义所述第一通孔。

7.如权利要求1所述的封装基板制造方法，其中所述第二图样化电路在所述第二侧实质上完全涵盖所述第一区域。

8.如权利要求1所述的封装基板制造方法，其特征在于，所述制造方法还包含在所述电容层的所述第二侧形成第二介电层，以覆盖所述第二图样化电路。

9.一种封装基板，其特征在于，包含：

电容层，具有第一侧、相对所述第一侧的第二侧以及开口；

多个第一图样化电路，设置在所述第一侧，且所述多个第一图样化电路中两个相邻电路之间具有间隙，其中所述开口位于所述间隙中；

至少一个第二图样化电路，设置在所述第二侧，且所述第二图样化电路至少覆盖所述开口；

介电层，设置在所述第一侧，其中在所述介电层内形成第一通孔，其中所述第一通孔穿过所述开口与所述间隙而抵达第二图样化电路，且所述介电层位于所述电容层与所述第一通孔之间；以及

导电材料，设置在所述第一通孔中，并延伸在所述第二图样化电路与所述介电层远离所述电容层的表面之间，

其中所述介电层隔绝在所述电容层与所述导电材料之间。

10.如权利要求9所述的封装基板，其特征在于，所述导电材料位于所述第一通孔中的部分的外缘与所述开口的内缘的距离大于5μm。

11.如权利要求9所述的封装基板，其特征在于，在所述介电层内形成所述介电层具有第二通孔对应所述多个第一图样化电路中至少一个，其中所述导电材料还设置在所述第二通孔中，并延伸在所述多个第一图样化电路的对应者与所述介电层远离所述电容层的所述表面之间。