[发明专利]电熔丝结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体元件的方法，包含：

提供一基底；

形成多个第一熔丝分支与多个第二熔丝分支于该基底上，其中该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支是通过一浅沟隔离隔开；以及

形成多个熔丝本体连接该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支，其中该多个第一熔丝分支沿着第一方向包含不同长度，该多个第一熔丝分支沿着第二方向包含不同宽度，该多个第一熔丝分支沿着第二方向彼此接触，该多个第一熔丝分支不连接该多个熔丝本体的一端沿着第二方向切齐，

该多个第二熔丝分支沿着第一方向包含不同长度，该多个第二熔丝分支沿着第二方向包含不同宽度，该多个熔丝本体在上视角度下沿着第二方向延伸的宽度大于该多个第二熔丝分支的宽度，且

第一方向为该多个第一熔丝分支、该多个第二熔丝分支以及该多个熔丝本体的延伸方向。

2.如权利要求1所述的方法，其中该多个第一熔丝分支包含单一掺杂区。

3.如权利要求1所述的方法，其中该多个第二熔丝分支包含多个彼此不接触的掺杂区。

4.如权利要求1所述的方法，其中该多个熔丝本体包含多个导电层。

5.如权利要求4所述的方法，其中该多个导电层包含铜。

6.如权利要求1所述的方法，其中该多个第二熔丝分支之间不相互接触。

7.一种半导体元件，包含：

多个可通过激光被烧断的熔丝本体；

多个第一熔丝分支沿着第一方向延伸并连接该多个熔丝本体的一边，其中，该多个第一熔丝分支沿着第一方向包含不同长度，该多个第一熔丝分支沿着第二方向包含不同宽度；以及

该多个第一熔丝分支沿着第二方向彼此接触，且该多个第一熔丝分支不连接该多个熔丝本体的一端沿着第二方向切齐；以及

多个第二熔丝分支沿着第一方向延伸并连接该多个熔丝本体的另一边，其中该多个第二熔丝分支分别沿着第一方向包含不同长度，该多个第二熔丝分支沿着第二方向包含不同宽度，该多个熔丝本体在上视角度下沿着第二方向延伸的宽度大于该多个第二熔丝分支的宽度，且

第一方向为该多个第一熔丝分支、该多个第二熔丝分支以及该多个熔丝本体的延伸方向。

8.如权利要求7所述半导体元件，其中该多个第一熔丝分支包含单一掺杂区。

9.如权利要求7所述的半导体元件，其中该多个第二熔丝分支包含多个彼此不接触的掺杂区。

10.如权利要求7所述的半导体元件，其中该多个熔丝本体包含多个导电层。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该多个导电层包含铜。

12.如权利要求7所述的半导体元件，其中该多个第二熔丝分支之间不相互接触。