[发明专利]电熔丝结构及其制作方法有效

申请号：	201610554741.3	申请日：	2016-07-14
公开（公告）号：	CN107622991B	公开（公告）日：	2021-07-20
发明（设计）人：	永井享浩	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号：	H01L23/525	分类号：	H01L23/525;H01L21/768
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	电熔丝结构及其制作方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

本发明公开一种电熔丝结构及其制作方法。一种制作半导体元件的方法，包括：首先提供一基底，然后形成多个第一熔丝分支与多个第二熔丝分支于基底上，其中该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支是通过一浅沟隔离隔开，且该多个第二熔丝分支包含不同尺寸。之后再形成多个熔丝本体连接该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支。

技术领域

本发明涉及一种电熔丝结构，尤其是涉及一种具有不同尺寸的电熔丝分支的电熔丝结构。

背景技术

随着半导体制作工艺的微小化以及复杂度的提高，半导体元件也变得更容易受各式缺陷或杂质所影响，而单一金属连线、二极管或晶体管等的失效往往即构成整个芯片的缺陷。因此为了解决这个问题，现行技术便会在集成电路中形成一些可熔断的连接线(fusible links)，也就是熔丝(fuse)，以确保集成电路的可利用性。

一般而言，熔丝是连接集成电路中的冗余电路(redundancy circuit)，一旦检测发现部分电路具有缺陷时，这些连接线就可用于修复(repairing)或取代这些有缺陷的电路。另外，目前的熔丝设计还可以提供程序化(programming elements)的功能，以使各种客户可依不同的功能设计来程序化电路。而从操作方式来看，熔丝可大致分为两大类，其一主要通过一激光切割(laser zip)的步骤来切断；另一种则是利用电致迁移(electro-migration)的原理使熔丝出现断路，以达到修补的效果或程序化的功能。此外，半导体元件中的电熔丝可为例如多晶硅电熔丝(poly efuse)、MOS电容反熔丝(MOS capacitor anti-fuse)、扩散电熔丝(diffusion fuse)、接触插塞电熔丝(contact efuse)、接触插塞反熔丝(contact anti-fuse)等等。

发明内容

本发明较佳实施例公开一种制作半导体元件的方法。首先提供一基底，然后形成多个第一熔丝分支与多个第二熔丝分支于基底上，其中该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支是通过一浅沟隔离隔开，且该多个第二熔丝分支包含不同尺寸。之后再形成多个熔丝本体连接该多个第一熔丝分支及该多个第二熔丝分支。

本发明另一实施例公开一种半导体元件，其主要包含：多个可通过激光被烧断的熔丝本体；多个第一熔丝分支连接熔丝本体的一边；以及多个第二熔丝分支连接熔丝本体的另一边，其中第二熔丝分支包含不同尺寸。

附图说明

图1为本发明较佳实施例制作一电熔丝结构的上视图；

图2为图1中沿着切线AA'的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的电熔丝结构的上视图；

图4为本发明一实施例的电熔丝结构的上视图。

主要元件符号说明

12 基底 14 掺杂区

16 掺杂区 18 浅沟隔离

20 第一熔丝分支 22 第一熔丝分支