[发明专利]一种LED封装结构及其形成的灯串结构

说明书

技术领域

本发明涉及固态照明材料领域，具体涉及一种LED封装结构及其形成的灯串结构。

背景技术

LED是一种固态的半导体器件，它可以直接把电能转化为光能。与传统的白炽灯、荧光灯相比，白光LED具有耗电小、发光效率高、使用寿命长、节能环保等优点，因此其不仅可以在日常照明领域得到广泛的应用，而且可以进入显示设备领域。

目前的LED封装主要是COB（chip on board）封装结构，这种封装多是将多个LED芯片固定于基板上，通过打线进行串并联，再进行树脂的整体密封。该种封装结构，一旦出现封装体中一个LED芯片的损坏，不能更换，且一系列的串联形式，会导致整个封装体的失效，不能工作。

发明内容

基于解决上述封装中的问题，本发明提供了一种LED封装结构，包括：

荧光玻璃板；

固定在所述荧光玻璃板两相对面上的第一和第二LED芯片，所述第一LED芯片具有第一和第二电极，所述第二LED芯片具有第三和第四LED电极；

包覆所述第一和第二LED芯片、所述荧光玻璃板的荧光胶，所述荧光胶包覆形状为长方体或正方体；

位于所述第一、第二、第三和第四电极上并暴露所述第一、第二、第三和第四电极的连接孔；

位于所述第一和第二LED芯片朝向面的浅沟槽，所述浅沟槽与连接孔分别相连通；

位于所述第一和第二LED芯片的第一侧面外侧的深沟槽，所述深沟槽与所述浅沟槽相连通，并且所述浅沟槽和深沟槽形成于所述荧光胶表面；

以及透明导电材料，包括填充所述连接孔和浅沟槽的第一部分、部分填充所述深沟槽的第二部分以及在与深沟槽相对的第二侧面上凸出的第三部分，其具有包含第二部分和第一部分以连接第一和第三电极的第一导电路径，以及包含第三部分和第一部分以连接第二和第四电极的第二导电路径；

凸出的所述第三部分与未填充透明导电材料的深沟槽的凹入部分形状相匹配。

在本发明中，所述第一导电路径呈C型，所述第二路径呈现倒C型。

在本发明中，所述透明导电材料为氧化锡铟、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡等氧化物或透明金属材料。

在本发明中，所述荧光胶包含荧光粉或者荧光晶体。

在本发明中，所述封装结构通过透明导电材料的所述第二部分和第三部分施加电压，以使得所述第一和第二LED芯片并联。

本发明还提供了一种LED灯串结构，其包括多个如上述的LED封装结构，多个LED封装结构通过前一个LED封装结构的凸出的所述第三部分嵌入所述未填充透明导电材料的深沟槽的凹入部分而形成先并联再串联的灯串。

本发明可实现多个LED芯片串并联的灯串，易于更换，且方法简单。

附图说明

图1为本发明的LED封装结构的剖面图；

图2为本发明的LED封装结构的三维图；

图3为本发明的LED封装结构的俯视图；

图4为本发明的LED封装结构的右视图；

图5为本发明的LED灯串结构的示意图。

具体实施方式

参见图1-4，本发明的LED封装结构为360度发光结构，荧光玻璃板1为刚性透明基板，并含有相应的荧光颗粒物，两个LED芯片2分别位于荧光玻璃板1的上侧和下侧，两个芯片分别具有两个引出电极9，利用荧光胶3包覆所述两个LED芯片2、所述荧光玻璃板1，并通过切割打磨等工序形成正方体形状或长方体形状，在四个电极9的对应位置具有四个连接孔4，该四个连接孔4均填充满透明导电材料，在两个LED芯片2所面对的荧光胶表面上具有四个相对较浅的浅沟槽5，浅沟槽5中也填满透明导电材料，并且与所述连接孔4电连接，位于所述两个LED芯片2的第一侧面外侧的具有深沟槽8，所述深沟槽8与所述浅沟槽5相连通，并且所述浅沟槽8和深沟槽5形成于所述荧光胶3表面。

所述透明导电材料为氧化锡铟、掺铝氧化锌、掺氟氧化锡等氧化物或透明金属材料，包括填充所述连接孔4和浅沟槽5的第一部分、部分填充所述深沟槽8的第二部分7以及在与深沟槽8相对的第二侧面上凸出的第三部分6，其具有包含第二部分7和第一部分以连接上侧芯片的左侧电极和下侧芯片的左侧电极的第一导电路径，以及包含第三部分和第一部分以连接上侧芯片的右侧电极和下侧芯片的右侧电极的第二导电路径；并且，凸出的所述第三部分6与未填充透明导电材料的深沟槽8的凹入部分形状相匹配，优选的，深沟槽8的深度是所述第三部分6的高度的两倍，而未填充透明导电材料的深沟槽8的凹入部分得深度等于第三部分的高度，这样就可以在形成灯串时，两者相互嵌入，达到电互联的目的。