[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法和电子装置在审
| 申请号： | 201610559619.5 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN107619019A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王伟;郑超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一晶圆，在所述第一晶圆中形成有若干对准标记；
提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合；
切割所述第二晶圆，以在所述第二晶圆中形成切割道，并在所述切割道中露出所述对准标记。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一晶圆中形成有切割道区域，所述对准标记形成于所述切割道区域中。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选用晶圆切割的方法切割所述第二晶圆，以露出所述若干对准标记。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述切割道之后还进一步包括对所述第二晶圆进行清洗的步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述切割之前还进一步包括对所述顶部晶圆的尺寸进行计算的步骤。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还进一步包括以所述对准标记为参照对所述第二晶圆进行图案化的步骤和/或执行对准工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，切割所述第二晶圆至所述对准标记上方的材料层厚度为10-15um时停止。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，所述对准标记的上方还形成有氧化物层。
9.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件通过权利要求1至8之一所述方法制备得到。
10.一种电子装置，包括权利要求9所述的MEMS器件。
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