[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法和电子装置在审

专利信息
申请号: 201610559619.5 申请日: 2016-07-15
公开(公告)号: CN107619019A 公开(公告)日: 2018-01-23
发明(设计)人: 王伟;郑超 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 高伟,冯永贞
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 器件 及其 制造 方法 电子 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种MEMS器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

随着半导体技术的不断发展,在传感器(motion sensor)类产品的市场上,智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术,并且随着技术的更新,这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸,高质量的电学性能和更低的损耗。

其中,MEMS传感器广泛应用于汽车电子:如TPMS、发动机机油压力传感器、汽车刹车系统空气压力传感器、汽车发动机进气歧管压力传感器(TMAP)、柴油机共轨压力传感器;消费电子:如胎压计、血压计、橱用秤、健康秤,洗衣机、洗碗机、电冰箱、微波炉、烤箱、吸尘器用压力传感器,空调压力传感器,洗衣机、饮水机、洗碗机、太阳能热水器用液位控制压力传感器;工业电子:如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等。

在MEMS器件制备过程中,有些产品是由两片晶圆健合(Bonding)之后,继续进行后续的工艺。但是后续工艺中在所述第一晶圆中形成的光刻对准(photo alignment)标记会被第二晶圆覆盖,在后续的对准工艺中会造成图案层的偏移,导致产品因上下层对准偏移而失效。

因此,为解决现有技术中的上述技术问题,有必要提出一种新的MEMS器件及其制造方法和电子装置。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征,更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题,本发明实施例提供了一种MEMS器件的制备方法,所述方法包括:

提供第一晶圆,在所述第一晶圆中形成有若干对准标记;

提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆相接合;

切割所述第二晶圆,以在所述第二晶圆中形成切割道,并在所述切割道中露出所述若干对准标记。

可选地,在所述第一晶圆中形成有切割道区域,所述对准标记形成于所述切割道区域中。

可选地,选用晶圆切割的方法切割所述第二晶圆,以露出所述若干对准标记。

可选地,在形成所述切割道之后还进一步包括对所述第二晶圆进行清洗的步骤。

可选地,在所述切割之前还进一步包括对所述顶部晶圆进行计算的步骤。

可选地,所述方法还进一步包括以所述对准标记为参照对所述第二晶圆进行图案化的步骤和/或执行对准工艺。

可选地,切割所述第二晶圆至所述对准标记上方的材料层厚度为10-15um时停止。

可选地,所述对准标记的上方还形成有氧化物层。

本发明还提供了一种MEMS器件,所述MEMS器件通过上述方法制备得到。

本发明还提供了一种电子装置,包括上述的MEMS器件。

为了解决目前工艺中存在的问题,本发明提供了一种制备MEMS器件的方法,所述方法在第一晶圆中预期形成切割道的区域内形成有若干对准标记;然后提供第二晶圆并将所述第二晶圆与所述第一晶圆接合为一体;切割所述第二晶圆,以形成切割道,以露出所述若干对准标记。通过所述方法可以将所述对准标记完全露出,避免了被第二晶圆覆盖,不能起到对准标记作用的弊端,以保证后续的对准工艺或者图案化不会发生对准偏移的问题。

本发明的优点在于:

(1)通过切割方法将所述对准标记完全暴露,很好的将所述对准标记与切割工艺的集成,避免增加额外的步骤,进一步降低工艺成本。

(2)提高了产品的良率。

(3)避免了对准偏移的问题。

本发明的MEMS器件,由于采用了上述制造方法,因而同样具有上述优点。本发明的电子装置,由于采用了上述MEMS器件,因而同样具有上述优点。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述,用来解释本发明的原理。

附图中:

图1为本发明的另一个实施例的一种MEMS器件的制造方法的示意性流程图;

图2A-图2C为本发明的一实施例中的一种MEMS器件的制造方法的相关步骤形成的结构的剖视图;

图3示出了根据本发明一实施方式的电子装置的示意图。

具体实施方式

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