[发明专利]静电放电保护电路

权利要求书

1.一种静电放电保护电路，所述静电放电保护电路连接在一第一晶圆和一第二晶圆之间，所述第一晶圆包含有硅通孔，所述第二晶圆包含内部芯片电路，其特征在于，包括：

第一单元，所述第一单元包括一第一阻变存储器和一第一防静电元件，所述第一阻变存储器的第一端连接所述第一防静电元件的第一端；

第二单元，所述第二单元包括一第二阻变存储器和一第二防静电元件，所述第二阻变存储器的第一端连接所述第二防静电元件的第一端，所述第二防静电元件的第二端接地；

开关控制单元，所述开关控制单元的一端连接所述第一单元中第一防静电元件的第二端，所述开关控制单元包括一PMOS管、一NMOS管、一控制电压端、一外接电压端，所述PMOS管的栅极和所述NMOS管的栅极相连，连接所述控制电压端；所述PMOS管的源极与所述NMOS管的源极相连，连接所述第一防静电元件；所述PMOS管的漏极接地，所述NMOS管的漏极连接所述外接电压端；

所述第一单元中第一阻变存储器的第二端和所述第二单元中第二阻变存储器的第二端均与所述硅通孔和内部芯片电路相连。

2.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：在所述第一晶圆静电放电过程中，所述开关控制单元控制所述第一阻变存储器和所述第二阻变存储器均处于低阻态，当所述第一晶圆带静电正电荷时，所述静电正电荷通过所述第二单元释放；当所述第一晶圆带静电负电荷时，所述静电负电荷通过所述第一单元释放。

3.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：在所述第一晶圆静电放电完成后，所述开关控制单元控制所述第一阻变存储器和所述第二阻变存储器处于高阻态，所述静电放电保护电路与所述第一晶圆和第二晶圆断开连接。

4.如权利要求1-3中任意一项所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述第一防静电元件为一二极管、栅极接地NMOS管、双极结型晶体管和可控硅中的任意一种。

5.如权利要求4所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述第一防静电元件为一第一二极管，所述第一二极管的负极连接所述第一阻变存储器的第一端，所述第一二极管的正极与所述开关控制单元相连。

6.如权利要求1-3中任意一项所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述第二防静电元件为一二极管、栅极接地NMOS管、双极结型晶体管和可控硅中的任意一种。

7.如权利要求6所述的静电放电保护电路，其特征在于：所述第二防静电元件为一第二二极管，所述第二二极管的正极连接所述第二阻变存储器的第一端，所述第二二极管的负极接地。

8.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：当所述第一晶圆带静电正电荷时，所述开关控制单元的控制电压端的电压为低电势，所述静电正电荷通过所述第二阻变存储器、第二防静电元件释放。

9.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：当所述第一晶圆带静电负电荷时，所述开关控制单元的控制电压端的电压为低电势，所述静电负电荷通过所述第一阻变存储器、第一防静电元件和所述PMOS管释放。

10.如权利要求1所述的静电放电保护电路，其特征在于：在所述第一晶圆静电放电完成后，所述开关控制单元的控制电压端的电压为高电势。